EDE5132AABG
指令操作
命令真值表
在DDR2 SDRAM识别由/ CS指定下面的命令， / RAS ， / CAS ， / WE和地址引脚。
CKE
功能
模式寄存器设置
扩展模式
注册成立（ 1 ）
扩展模式
寄存器设置（ 2 ）
自动刷新
自刷新进入
自刷新退出
上10电流
符号s循环周期
/ CS
太太
EMRS
EMRS
REF
自
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
×
×
L
L
H
H
L
L
L
L
L
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
H
L
H
L
/ RAS / CAS / WE BA0
L
L
L
L
L
×
H
L
L
L
H
H
H
H
H
×
×
H
×
H
L
L
L
L
L
×
H
H
H
H
L
L
L
L
H
×
×
H
×
H
L
L
L
H
H
×
H
L
L
H
L
L
H
H
H
×
×
H
×
H
L
H
L
×
×
×
×
BA
×
BA
BA
BA
BA
BA
×
×
×
×
×
×
×
×
×
×
×
×
×
BA1
L
L
H
×
×
×
×
A12到
A11
A10
MRS操作码
EMRS （1）操作码
EMRS （2）操作码
×
×
×
×
×
×
RA
CA
CA
CA
CA
×
×
×
×
×
×
L
H
L
H
×
×
×
×
×
×
CA
CA
CA
CA
×
×
×
×
×
×
1, 4
×
×
×
×
L
H
×
×
×
×
×
×
1, 2
1
1, 2
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1
1
1, 4
A0到
A9
笔记
1
1
1
1
1
1, 6
SELFX L
L
单个组预充电
预充电所有银行
银行激活
写
写带自动预充电
读
阅读与自动预充电
无操作
设备取消
掉电模式进入
PRE
PALL
法案
WRIT
H
H
H
H
WRITA
读
H
READA
NOP
DESL
PDEN
H
H
H
H
掉电模式退出
PDEX
L
L
备注： H = VIH 。 L = VIL 。
×
= VIH或VIL 。 BA =银行地址， RA =行地址， CA =列地址
注： 1.所有DDR2命令是由/ CS状态定义， / RAS ， / CAS ， / WE和CKE在的上升沿
时钟。
2.银行选择（ BA0 ， BA1 ） ，确定哪些银行在被操作。
3，突发读取或写入不应该被终止除指定为
“读
通过在一个浏览“中断
突发读取命令[读取]或
写道：“
在突发写入指令[ WRIT ]写“打断。
4.掉电模式下不执行任何刷新操作。因此，掉电时间是
受限于器件的刷新要求。一个时钟的延迟需要模式的进入和退出。
5. ODT的状态不会影响在该表中所描述的状态。 ODT的功能是不可用
在自刷新。
6.自刷新退出是异步的。
初步数据表E1115E40 （版本4.0 ）
27
