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EDD2508ARTA-5B
引脚电容（ TA = + 25 ° C， VDD和VDDQ = 2.6V ± 0.1V ）
参数
输入电容
符号
CI1
CI2
三角洲输入电容
Cdi1
Cdi2
数据输入/输出电容
增量的输入/输出电容
CI / O
CDIO
引脚
CK ， / CK
所有其它输入引脚
CK ， / CK
所有其他输入专用管脚
DQ ， DM ， DQS
DQ ， DM ， DQS
分钟。
2.0
2.0
—
—
4.0
—
典型值
—
—
—
—
—
—
马克斯。
3.0
3.0
0.25
0.5
5
0.5
单位
pF
pF
pF
pF
pF
pF
笔记
1
1
1
1
1, 2
1
注：1.这些参数的条件下测得：
TA = + 25°C 。
2. Dout的电路都被禁止。
F = 100MHz时， VOUT = VDDQ / 2 ，
ΔVOUT
= 0.2V,
EO
参数
时钟周期时间
CK高电平宽度
CK低电平宽度
CK半期
DQS到DQ歪斜
数据保持倾斜因子
阅读序言
阅读后同步
DQ和DM输入建立时间
DQ和DM输入保持时间
写序言建立时间
写序言
写后同步
DQS输入高电平脉冲宽度
DQS输入低脉冲宽度
数据表E0772E10 （版本1.0 ）
AC特性（ TA = 0 ° C至+ 70 ° C， VDD ， VDDQ = 2.6V ± 0.1V ， VSS ， VSSQ = 0V）
-5B
符号
TCK
总胆固醇
TCL
THP
TAC
分钟。
5
0.45
0.45
分（TCH ， TCL ）
–0.7
–0.6
—
THP - TQHS
—
—
马克斯。
8
0.55
0.55
—
0.7
0.6
0.4
—
1.0
0.7
单位
ns
TCK
TCK
TCK
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
TCK
TCK
ns
ns
ns
ns
TCK
TCK
TCK
TCK
9
8
8
7
5, 11
6, 11
2, 11
2, 11
3
笔记
10
从CK DQ输出访问时间， / CK
从CK DQS输出访问时间， / CK
从DQS DQ / DQS输出保持时间
数据输出高阻抗的时间
从CK ， / CK
数据输出低阻抗时间
从CK ， / CK
DQ和DM输入脉冲宽度
写命令首先锁定DQS
过渡
DQS下降沿到CK建立时间
DQS从CK下降沿保持时间
地址和控制输入建立时间
地址和控制输入保持时间
地址和控制输入脉冲宽度
模式寄存器设置命令周期时间
主动到预充电命令期
L
tDQSCK
TDQSQ
tQH
TQHS
od
Pr
太赫兹
TLZ
–0.7
0.9
0.7
tRPRE
tRPST
1.1
0.3
0.7
—
TDS
0.6
TDH
0.6
—
tDIPW
1.75
0
—
tWPRES
—
tWPRE
tWPST
0.25
—
0.4
0.6
tDQSS
TDSS
tDSH
tDQSH
tDQSL
TIS
TIH
tIPW
超过tMRD
tRAS的
0.72
0.2
0.2
0.35
0.35
0.6
0.6
2.2
2
40
1.25
—
—
—
—
—
—
—
—
120000
t
uc
TCK
TCK
TCK
ns
8
ns
8
ns
7
TCK
ns
7
