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EDD2508ARTA-5B
当前状态
与自动写
预充压*
10
/ CS
H
L
L
L
L
L
L
L
/ RAS / CAS / WE
×
H
H
H
H
L
L
L
×
H
H
L
L
H
H
L
×
H
L
H
L
H
L
×
地址
×
×
×
BA , CA, A10
BA , CA, A10
BA , RA
BA , A10
×
命令
DESL
NOP
BST
读/ READA
WRIT /令状内
法案
PRE , PALL
手术
NOP
NOP
违法
非法*
14
下一步国家
预充电
预充电
非法*
14
非法*
11, 14
非法*
11, 14
违法
备注:
注:1 。
2.
3.
4.
5.
6.
H: VIH 。 L: VIL 。
×:
VIH或VIL
在DDR SDRAM是"Precharging"状态色氨酸发出预充电命令后。
在DDR SDRAM达到"IDLE"状态激进党发出预充电命令之后。
在DDR SDRAM是"Refresh"状态tRFC发出自动刷新命令后。
在DDR SDRAM是"Activating"状态的tRCD发出ACT命令之后。
在DDR SDRAM是"Active"状态"Activating"完成后。
在DDR SDRAM是"READ"状态,直到突发数据已经输出和DQ输出电路导通
关。
7. DDR SDRAM是"READ ,支持自动precharge"从READA命令,直到突发数据已经
输出和DQ输出电路被关断。
8. DDR SDRAM是由令状命令的最后一个突发数据"WRITE"状态输入。
9. DDR SDRAM是在"Write recovering"为tWR的之后的最后一个数据被输入。
10. DDR SDRAM是在"Write具有自动precharge"直到tWR的在最后一个数据被输入。
11.此命令可能对其他银行发行,根据银行的状态。
12.所有的银行必须在"IDLE" 。
13.在执行写命令,停止上述突发读取操作, BST命令必须是
发行。
14. DDR SDRAM支持并发自动预充电功能,具有自动预充电使能读,或
与自动预充电使能,之后可以任意列命令向其他银行,只要写
该命令不中断读或写的数据传输,以及所有其他相关的限制适用。
(读数据之间的冲突例如和写入数据,必须避免。 )
从具有自动预充电一个读或写命令的最小延迟启用时,到一个命令到一个
不同的银行,总结如下。
EO
从命令
读W / AP
写W / AP
数据表E0772E10 (版本1.0 )
L
读或读W / AP
写或写W / AP
读或读W / AP
写或写W / AP
要命令(不同银行,非
打断命令)
预充电或激活
预充电或激活
od
Pr
最小延迟
(同时支持AP )
CL (四舍五入) + ( BL / 2 )
1
BL/2
1+( BL / 2)+ tWTR
BL/2
1
单位
TCK
TCK
TCK
TCK
t
uc
TCK
TCK
18

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