DTA115TM / DTA115TE / DTA115TUA / DTA115TKA
绝对最大额定值
(Ta=25C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电源
耗散
数据表
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
范围
50
50
5
100
150
200
150
55
to
+150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
DTA115TM / DTA115TE
DTA115TUA / DTA115TKA
P
C
Tj
TSTG
结温
储存温度
电气特性
(Ta=25C)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流
传输比
输入阻抗
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
R
1
f
T
分钟。
50
50
5
100
70
典型值。
250
100
250
马克斯。
0.5
0.5
0.3
600
130
单位
V
V
V
μA
μA
V
kΩ
MH
Z
I
C
= 50μA
I
C
= -1mA
I
E
= 50μA
V
CB
= 50V
V
EB
= 4V
条件
I
C
/I
B
= -1mA / -0.1mA
I
C
= -1mA
, V
CE
= 5V
V
CE
= 10V
, I
E
=5mA
， F = 100MH
Z
跃迁频率
*特点
内置的晶体管的
电气特性曲线
CORRECTOR饱和电压： V
CE （ SAT ）
(V)
1k
500
V
CE
=5V
1
500m
200m
100m
50m
20m
10m
5m
2m
1m
Ta=25°C
Ta=100°C
I
C
/I
B
=10/1
直流电流增益：H
FE
200
100
50
20
10
5
2
1
10μ
20μ
50μ 100μ 200μ
500μ 1m
2m
5m
10m
Ta=100°C
Ta=25°C
TA
40°C
TA
40°C
10μ
20μ
50μ 100μ 200μ
500μ 1m
2m
5m
10m
集电极电流：我
C
(A)
集电极电流：我
C
(A)
图1直流电流增益
与集电极电流
图2集电极 - 发射极饱和电压
与集电极电流
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c
○
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2/2
2009.06 - Rev.C
