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dsPIC30F6011/6012/6013/6014
SA和SB位，每次修改数据
通过加法器/减法器，但只能是
由用户清零。如果置位，表明
累加器溢出其最大范围（第31位
32位饱和或39位，而40位饱和度）和
将饱和（如果饱和使能） 。当饱和
日粮未启用， SA和SB默认为39位过
流动，从而表明了灾难性溢出
发生了。如果INTCON1寄存器中的COVTE位
，SA和SB位将产生算术警告
陷阱当饱和被禁止。
溢出和饱和状态位，可
在状态寄存器（ SR）被视为逻辑
OA与OB （中位OAB）或（OR）和SA的逻辑或
和SB （ SAB位） 。这允许程序员检查
在状态1位寄存器来判断是否有
累加器溢出，或1位，以确定是否
有累加器饱和。这将是有用的
复数运算通常使用
两个累加器。
该器件支持三种饱和及溢出
模式：
1.
bit 39溢出和饱和：
当发生bit 39溢出和饱和时，
饱和逻辑将最大的正9.31
（ 0x7FFFFFFFFF ） ，或最大负9.31
值（ 0x8000000000 ）到目标积聚
器。 SA或SB位被置位并保持直到
由用户清零。这被称为“超级
饱和“，提供保护，防止erro-
neous数据或不可预期的算法问题
（例如，增益计算） 。
31位溢出和饱和：
当发生bit 31溢出和饱和时，
饱和逻辑将最大的位置
数1.31 （ 0x007FFFFFFF ） ，或最大
负1.31值（ 0x0080000000 ）进
目标累加器。 SA或SB位被置位，并
保持直到被用户清零。当此
饱和模式生效时，警戒位
不使用（因此OA ， OB或OAB位不会
设置） 。
bit 39灾难性溢出：
从加法器的bit 39溢出状态位
用来将SA或SB位，该位保持置
直到被用户清零。不饱和操作
灰被执行并且允许累加器
溢出（破坏其符号） 。如果COVTE
INTCON1寄存器位被置位，灾难性的
溢出会导致一个陷阱异常。
2.4.2.2
累加器“回写”
该
苹果
类指令（除
MPY ， MPY.N ， ED
和
EDAC ）
可以选择写
高字圆润的版本（ 31位到16 ）
不是由该指令目标的累加器的
到数据存储空间。写跨执行
X总线为组合的X和Y地址空间。该
以下寻址模式支持：
1.
W13 ，寄存器直接：
非目标的舍入内容
蓄能器写入W13为1.15
小部分。
[ W13 ] + = 2 ，寄存器间接寻址
后递增：
非目标的舍入内容accumu-
荡器被写入的地址所指向的
W13以1.15小数。然后W13
递增2 （对于字写入） 。
2.
2.4.2.3
舍入逻辑
舍入逻辑是per-一个组合模块
形成了一个传统的（偏置）或收敛的（ unbi-
在累加器写偏）舍入功能
（店） 。舍入模式是由国家决定的
CORCON寄存器中RND位。它会产生一个16位
被传递到数据空间位的1.15数据值
写饱和逻辑。如果舍入不被指示
指令，截取的1.15数据值被存储和
最显著字（ LSW ） ，简单地丢弃。
常规舍入取15位的累加器，
零扩展并将其添加到ACCxH中字（ 16位
通过蓄压器31 ） 。如果ACCxL中字
（位0至15的累加器的）之间
为0x8000和0xFFFF的（包括0x8000 ） ， ACCxH的值
递增。如果ACCxL中为0×0000之间
0x7FFF的， ACCxH的值保持不变。的后果
该算法是在随机的继承
取整运算，该值将趋向于被偏置
稍微积极。
收敛的（或无偏）舍入操作
相同的方式与常规舍入，除非当
但ACCxL等于0x8000 。如果是这种情况，则最低有效位
ACCxH中的（累加器的位16）进行检测。如果
是' 1 ' ， ACCxH递增。如果它是“0”， ACCxH中是不
修改。假设16位是随机的
自然，这样的机制将消除任何舍入偏差
可能积累。
该
SAC
和
SAC.R
说明无论是店面的截取
cated （ SAC ）或舍入（ SAC.R ）版本的内容
通过X总线将目标累加器数据存储器
（受数据饱和的，看
第2.4.2.4节“数据
空间写饱和“ ） 。
注意，对于
苹果
类
的指令，累加器回写操作
也会起到同样的方式，寻址组合
MCU（X和Y），通过X总线的数据空间。为了这
此类指令，数据始终受到
四舍五入。
2.
3.
DS70117F第22页
2006年Microchip的科技公司
