1.1.2
热特性
表3.热特性
特征
符号
R
θJA
or
θ
JA
LQFP值
57 80 QFP
49 144 QFP
44 80 QFP
40 144 QFP
R
θJC
or
θ
JC
10 80 QFP
9 144 QFP
单位
表3
列出的热特性。
自然对流，结到环境的热单层板
阻力
1,2
(1s)
四层板
(2s2p)
结到外壳热阻
3
—
°
C / W
°
C / W
°
C / W
注意：
1.结温是芯片尺寸的功能，片上功耗，封装热阻，安装位置（板）
温度，环境温度，空气溢流外，其它元件在电路板的功耗和电路板热
性。
2.每SEMI G38-87和JEDEC JESD51-2与单层板的水平。
在管芯和壳体顶面之间3.热电阻通过冷板的方法测定
（ MIL SPEC - 883方法1012.1 ） 。
1.1.3
电源要求
为了防止大电流条件下，由于可能不当测序的电源，使用外部肖特基二极管
如图
图3中，
连接DSP56724 / DSP56725 IO_VDD和CORE_VDD电源引脚之间。
IO_VDD
外
肖特基
二极管
CORE_VDD
图3.防止大电流条件下通过使用外部肖特基二极管
如果一个外部肖特基二极管不使用（为防止高电流状态在上电时） ，然后IO_VDD必须提前施加
CORE_VDD的，如图
图4中。
CORE_VDD
IO_VDD
图4.避免过大的现状所应用IO_VDD CORE_VDD前
SYMPHONY
DSP56724 / DSP56725多核音频处理器，修订版1
6
飞思卡尔半导体公司
