DG506A_MIL/507A_MIL
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
r
DS （ ON）
匹配
g
SOURCE OFF
漏电流
流掉
漏电流
V
类似物
r
DS （ ON）
Dr
DS （ ON）
I
S（ OFF）
V
D
=
"10
V，I
S
= –200
mA
-10 V < V
S
＆ LT ; 10 V
V
S
=
"10
V, V
D
=
#10
V
V
EN
= 0 V
V
D
=
#10
V
V
S
=
"10
V
V
EN
= 0 V
DG506A_MIL
DG507A_MIL
DG506A_MIL
I
D（上）
V
S
= V
D
=
"10
V
DG507A_MIL
满
房间
满
房间
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
–1
–50
–10
–300
–5
–200
–10
–300
–5
–200
–15
240
6
1
50
10
300
5
200
10
300
5
200
nA
A
15
400
500
V
W
%
后缀
-55到125°C
符号
V+ = 15 V, V– = –15 V
V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
f
温度
b
民
d
典型值
c
最大
d
单位
I
D（关闭）
在排水
漏电流
数字控制
g
p
逻辑输入电流
输入V LT
I
吨电压高
喜
逻辑输入电流
输入电压低
V
A
= 2.4 V
I
AH
V
A
= 15 V
I
AL
V
EN
= 0 V, 2.4 V, V
A
= 0 V
房间
满
房间
满
房间
满
–10
–30
–10
–30
10
30
mA
动态特性
转换时间
先开后合式时间
启用开启时间
启用关闭时间
电荷注入
关断隔离
h
源关断电容
流掉电容
t
TRANS
t
开放
t
ON （ EN ）
t
OFF （ EN ）
Q
OIRR
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
V
EN
= 0 V ，R
L
= 1千瓦，C
L
= 15 pF的
V
S
= 7 V
RMS
， F = 500千赫
V
EN
= 0 V, V
S
= 0 V ， F = 140千赫
V
EN
= 0 V
V
D
= 0 V
F = 140千赫
DG506A_MIL
DG507A_MIL
见图2
参见图4
见图3
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
0.6
0.2
1
0.4
6
68
6
45
23
pF
pF
1.5
1.0
pC
dB
1.0
ms
电源
正电源电流
负电源电流
I+
I–
V
EN
= 0 V, V
A
= 0 V
房间
房间
–1.5
1.3
–0.7
2.4
mA
注意事项：
一。请参阅过程的期权流程图。
B 。房间= 25_C ，全部=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。通过设计保证，不受生产测试。
f.
V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
r
DS （ ON）
马克斯 - R的
DS （ ON）
民
g.
Dr
DS （ ON）
+
r
DS （ ON）
AVE
h.
关断隔离
+
20日志
V
D
V
S
, V
S
+
输入到开关，V
D
+
由于输出到V
S
.
文档编号： 70066
S- 00405 -REV 。 D， 21 -FEB- 00
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
5-3
