DG417B/418B/419B
Vishay Siliconix公司
精密单片四路SPST CMOS模拟开关
描述
该DG417B / 418B / 419B单片CMOS模拟开关
被设计为提供高性能的开关
模拟信号。结合低功耗，低漏电，高
速度，低导通电阻和小的物理尺寸，该
DG417B系列非常适合于便携式和电池
需要大功率的工业和军事应用
性能和高效利用的电路板空间。
为了实现高电压等级和出色的开关
表现， DG417B系列采用Vishay
Siliconix公司的高压硅栅（ HVSG ）的过程。
突破前先保证为DG419B ，这是
一个SPDT配置。外延层可以防止闭锁。
每个开关导电性能相同，在两个方向的时候
上，并达到了电源时平整块。
该DG417B和DG418B应对反控制逻辑
如图中真值表水平。
特点
± 15 V模拟信号范围
导通电阻 - R的
DS （ ON）
: 15
Ω
快速开关动作 - 吨
ON
： 110纳秒
TTL和CMOS兼容
MSOP - 8和SOIC -8封装
无铅
可用的
RoHS指令*
柔顺
好处
最宽的动态范围
低信号误差和失真
先开后合式开关动作
简单接口
减少电路板空间
提高可靠性
应用
精密测试设备
精密仪器
电池供电系统
采样保持电路
军用无线通信设备
制导与控制系统
硬盘驱动器
功能框图及引脚配置
DG417B
双列直插式， SOIC - 8和MSOP - 8
S
NC
GND
V+
1
2
3
4
顶视图
8
7
6
5
D
V-
IN
V
L
真值表
逻辑
0
1
逻辑"0"
≤
0.8 V
逻辑"1"
≥
2.4 V
DG417B
ON
关闭
DG418B
关闭
ON
DG419B
双列直插式， SOIC - 8和MSOP - 8
D
S
1
GND
V+
1
2
3
4
顶视图
8
7
6
5
S
2
V-
IN
V
L
真值表 - DG419B
逻辑
0
1
逻辑"0"
≤
0.8 V
逻辑"1"
≥
2.4 V
SW
1
ON
关闭
SW
2
关闭
ON
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 72107
S- 71009 -REV 。 C， 14日， 07
www.vishay.com
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