DG201B/202B
Vishay Siliconix公司
测试电路
+ 15 V
V+
V
S
= + 2 V
S
IN
3V
GND
V-
D
V
O
R
L
1 kΩ
C
L
35 pF的
逻辑
输入
3V
50 %
0V
t
关闭
90 %
t
r
< 20纳秒
t
f
< 20纳秒
开关
产量
- 15 V
V
O
= V
S
R
L
R
L
+ r
DS （ ON）
V
O
t
ON
图2.开关时间
+ 15 V
+ 15 V
C
V+
V
S
V+
C
S
1
R
g
= 50
Ω
IN
1
0 V, 2.4 V
S
2
NC
D
1
50
Ω
V
S
R
g
= 50
Ω
0 V, 2.4 V
S
D
V
O
IN
GND
V-
C
R
L
D
2
V
O
R
L
0 V, 2.4 V
- 15 V
V
S
V
O
C =射频旁路
X
TA LK
隔离= 20日志
V
S
V
O
IN
2
GND
V-
C
关断隔离= 20日志
- 15 V
图3.关断隔离
图4.通道至通道串扰
+ 15 V
ΔV
O
R
g
V+
S
IN
3V
GND
V-
ΔV
O
=测得的电压误差，由于电荷注入
电荷注入库仑为Q = C
L
x
Δ
V
O
- 15 V
D
V
O
C
L
1000 pF的
IN
X
ON
关闭
ON
V
O
V
g
图5.电荷注入
文档编号： 70037
S- 71155 -REV 。 H， 11军， 07
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