INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
D44H10
V
CE
（SAT）
集电极 - 发射极
饱和电压
D44H8,11
基射极饱和电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
D44H10
h
FE-1
直流电流增益
D44H8,11
D44H10
h
FE-2
直流电流增益
D44H8,11
输出电容
电流增益带宽积
V
CB
= -10V ， F =为0.1MHz
I
C
=-0.5A;V
CE
=-10V;f
TEST
=20MHz
I
C
= -4A ; V
CE
= -1V
40
I
C
= -2A ; V
CE
= -1V
60
20
I
C
= -8A ，我
B
= -0.4 A
I
C
= -8A ，我
B
= -0.8 A
V
CE
=额定V
首席执行官
;
V
EB
= -5V ;我
C
= 0
35
条件
I
C
= -8A ，我
B
= -0.8 A
民
D45H系列
典型值
最大
单位
-1
V
V
BE
（SAT）
I
CES
I
EBO
-1.5
-10
-100
V
μA
μA
C
OB
f
T
130
50
pF
兆赫
开关时间
贮存时间
I
C
= -5A ;我
B1
= -I
B2
= -0.5A
V
CC
= 20V
下降时间
0.14
μs
0.5
μs
t
s
t
f
ISC的网站： www.iscsemi.cn
