CYDM064B16 ， CYDM128B16 ， CYDM256B16
开关波形
（续）
图5.写周期一：读/写控制时序
[37, 38, 39, 40, 41, 42]
t
WC
地址
t
HZOE
[43]
OE
t
AW
CE
[41, 42]
t
SA
读/写
t
HZWE
[43]
数据输出
注意44
t
PWE
[40]
t
HA
t
LZWE
注意44
t
SD
t
HD
DATA IN
图6.写周期2： CE控制时序
[37, 38, 39, 44]
t
WC
地址
t
AW
CE
[41, 42]
t
SA
读/写
t
SCE
t
HA
t
SD
DATA IN
t
HD
笔记
39. t
HA
从CE或R / W或（ SEM或R / W）的早期测定变为高电平，在写周期的结束。
40.如果OE是低电平期间， R / W控制的写周期，写脉冲宽度必须满足t较大
PWE
或（T
HZWE
+ t
SD
），以允许所述的IO驱动器关闭和数据是
放到总线上用于所需吨
SD
。如果OE为高电平期间，一个R / W控制的写周期，这要求不适和写脉冲可短的
特定网络编辑吨
PWE
.
41.要存取RAM ， CE = V
IL
，扫描电镜= V
IH
.
42.要访问高位字节， CE = V
IL
， UB = V
IL
，扫描电镜= V
IH
.
访问低字节， CE = V
IL
， LB = V
IL
，扫描电镜= V
IH
.
43.转换测量
±0
毫伏从稳态与5 pF负载（包括范围和夹具） 。这个参数进行采样，而不是100 ％测试。
44.在此期间， IO引脚的输出状态，输入信号不能被应用。
文件编号： 001-00217修订版* F
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