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CY7C6431x
CY7C64345 , CY7C6435x
直流编程规范
表13
名单最大和最小规格为整个电压和温度范围内。
表13.直流编程规范
符号
VDD
IWRITE
I
DDP
V
ILP
V
国际水文计划
I
ILP
I
国际水文计划
V
OLV
V
OHV
FL灰
ENPB
FL灰
DR
描述
电源电压闪存写入操作
供电电流在编程或验证
输入低电压编程或验证期间
输入高电压编程或验证期间
输入端施加电压Vilp时, P1电流[ 0 ]或P1 [ 1]在
编程或验证
(8)
输入应用VIHP时, P1电流[ 0 ]或P1 [ 1]在
编程或验证
(8)
输出低电压编程或验证期间
输出高电压编程或验证期间
闪存的写入寿命
(9)
闪存数据保留
(10)
3.0
V
IH
VDD - 0.9
50,000
10
典型值
5
20
最大
25
V
IL
0.2
1.5
VSS + 0.75
VDD
单位
V
mA
V
V
mA
mA
V
V
周期
岁月
AC电气特性
AC芯片级规范
下表列出了最大和最小规格为整个电压和温度范围内。
表14.交流芯片级规范
符号
F
最大
F
中央处理器
F
32K1
F
IMO24
F
IMO12
F
IMO6
DC
IMO
T
坡道
描述
最大工作频率
(11)
最大处理频率
(12)
内部低速振荡器频率
内部主振荡器稳定性24 MHz的± 5 %
(13)
12 MHz内部振荡器的主要稳定
(13)
6 MHz的内部主振荡器稳定
(13)
IMO的占空比
供应减速时间
24
24
19
22.8
11.4
5.7
40
0
典型值
32
24
12
6.0
50
最大
50
25.2
12.6
6.3
60
单位
兆赫
兆赫
千赫
兆赫
兆赫
兆赫
%
s
笔记
8.驱动内部下拉电阻。
每块9.擦除/写周期。
10.下列最大闪存的写入周期,在环境温度Tamb = 55℃,环境温度为70℃
11. VDD = 3.0V和T
J
= 85
o
C,数字时钟等功能。
12. VDD = 3.0V和T
J
= 85
o
C, CPU速度。
13.修剪3.3V操作使用出厂预设值。
文件编号: 001-12394修订版* F
第19页29
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