CY7C138 ， CY7C139
开关波形
（续）
t
WC
图6.写周期第1号： OE三态数据的I / O （任一端口）
[22, 23, 24]
地址
t
SCE
SEM或CE
t
AW
读/写
t
SA
DATA IN
t
SD
数据有效
t
HD
t
PWE
t
HA
OE
t
HZOE
数据输出
高阻抗
t
LZOE
图7.写周期2： R / W三美国数据的I / O （任一端口）
[22, 24, 25]
t
WC
地址
t
SCE
SEM或CE
t
SA
t
AW
t
PWE
t
HA
读/写
t
SD
DATA IN
t
HZWE
数据输出
数据有效
t
HD
t
LZWE
高阻抗
笔记
20. BUSY =高为写端口。
21. CE
L
= CE
R
=低。
存储器22内写入时间由CE或扫描电镜低和R / W低的重叠限定。这两个信号必须为低电平启动写，而无论是信号
通过去HIGH终止写入。的数据输入的设置和保持时间应参考终止写信号的上升沿。
23.如果OE为低电平期间，一个R / W控制的写入周期中，写脉冲的宽度必须是吨的大
PWE
或（T
HZWE
+ t
SD
），以允许在I / O驱动器关闭和数据是
放到总线上用于所需吨
SD
。如果OE为高电平期间，一个R / W控制的写周期（如在本例中） ，这要求不适用和写脉冲能
短至指定吨
PWE
.
24. R / W必须在所有的地址转换为高。
文件编号： 38-06037牧师* E
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