CY7C1338F
电气特性
在工作范围（续）
[8, 9]
CY7C1345F
参数
I
SB3
描述
CE自动断电
目前， CMOS输入
测试条件
最大。 V
DD
，设备选中，
V
IN
≥
V
DDQ
- 0.3V或V
IN
≤
0.3V,
f = f
最大
，输入切换
7.5 ns的周期， 133
兆赫
8.0 ns的周期， 117
兆赫
10 ns的周期， 100兆赫
15 ns的周期， 66兆赫
I
SB4
CE自动断电
目前-TTL输入
最大。 V
DD
，设备选中，
V
IN
≥
V
DD
- 0.3V或V
IN
≤
0.3V,
F = 0 ，输入静态
所有速度
分钟。
马克斯。
75
70
65
45
45
单位
mA
mA
mA
mA
mA
热阻
[10]
参数
θJA
θJC
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
测试条件
测试条件遵循标准
试验方法和程序
测量热阻抗，
按照EIA / JESD51 。
TQFP
包
41.83
9.99
BGA
包
47.63
11.71
单位
° C / W
° C / W
电容
[10]
参数
C
IN
C
CLK
C
I / O
描述
输入电容
时钟输入电容
输入/输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
DD
= 3.3V.
V
DDQ
= 3.3V
TQFP
包
5
5
5
BGA
包
5
5
7
单位
pF
pF
pF
交流测试负载和波形
3.3V的I / O负载测试
产量
Z
0
= 50
3.3V
产量
R
L
= 50
R = 317
V
DD
5 pF的
GND
R = 351
10%
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
≤
1ns
V
L
= 1.5V
≤
1ns
2.5V的I / O负载测试
产量
Z
0
= 50
(a)
2.5V
INCLUDING
夹具
范围
(b)
R = 1667
V
DD
(c)
所有的输入脉冲
10%
90%
90%
10%
≤
1ns
产量
R
L
= 50
V
L
= 1.25V
5 pF的
GND
R =1538
≤
1ns
(a)
INCLUDING
夹具
范围
(b)
(c)
注意：
10.测试的任何设计或工艺变更可能会影响这些参数之后。
文件编号： 38-05218修订版**
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