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CY62167DV30的MoBL
数据保存波形
[14]
V
CC
CE
1
or
BHE
,
BLE
V
CC
，分钟。
t
CDR
数据保持方式
V
DR
> 1.5 V
V
CC
，分钟。
t
R
or
CE
2
开关特性
在整个工作范围
[15]
45纳秒
[12]
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
DBE
t
LZBE
t
HZBE
写周期
[18]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
BW
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
写周期时间
CE
1
LOW和CE
2
HIGH到写入结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
BLE / BHE低到写结束
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高-Z
[16, 17]
我们前高后低-Z
[16]
10
45
40
40
0
0
35
40
25
0
15
10
55
40
40
0
0
40
40
25
0
20
10
70
60
60
0
0
45
60
30
0
25
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE
1
LOW和CE
2
高到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[16]
OE高到高Z
[16, 17]
CE
1
LOW和CE
2
高到低Z
[16]
CE
1
高和CE
2
低到高Z
[16, 17]
CE
1
LOW和CE
2
HIGH到Power -UP
CE
1
高和CE
2
低到掉电
BLE / BHE低到数据有效
BLE / BHE低到低Z
[16]
BLE / BHE高到高阻
[16, 17]
10
15
0
45
45
10
20
10
20
0
55
55
10
25
5
15
10
20
0
70
70
10
45
25
5
20
10
25
45
45
10
55
25
5
25
55
55
10
70
35
70
70
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
55纳秒
分钟。
马克斯。
70纳秒
分钟。
马克斯。
单位
注意事项：
14. BHE.BLE是既BHE和BLE和。芯片可以通过禁用该芯片使能信号或通过禁用这两个BHE和BLE被取消。
15.测试条件比三态参数之外的所有参数假设1纳秒/ V信号的转换时间，定时V的基准水平
CC （典型值）
/ 2，输入脉冲电平
0至V
CC （典型值）。
指定I ，并输出负载
OL
/I
OH
如图所示，在“交流测试负载和波形”一节。
16.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZBE
小于吨
LZBE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何
指定设备。
17. t
HZOE
, t
HZCE
, t
HZBE
和叔
HZWE
当输出进入高阻抗状态转变进行测定。
18.存储器的内部写入时间由WE的重叠定义，CE
1
= V
IL
， BHE和/或BLE = V
IL
和CE
2
= V
IH
。所有的信号必须是活动开始
写任何这些信号可以通过将非活动结束写入。的数据输入的设置和保持时间应参考信号的边沿
终止写入。
文件编号： 38-05328牧师* G
第12页5
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