位置：首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第0页 > CY62157EV30_09 > CY62157EV30_09 PDF资料 > CY62157EV30_09 PDF资料3第8页
CY62157EV30的MoBL
开关波形
（续）
图8
显示了我们控制的写周期波形。
[17, 21, 22]
图8.写周期第1号
t
WC
地址
t
SCE
CE
1
CE
2
t
AW
t
SA
WE
t
PWE
t
HA
BHE / BLE
t
BW
OE
t
SD
IO DATA
注23
t
HZOE
有效数据
t
HD
图9
显示CE
1
或CE
2
控制的写周期波形。
[17, 21, 22]
图9.写周期第1号
t
WC
地址
t
SCE
CE
1
CE
2
t
SA
t
AW
t
PWE
t
HA
WE
BHE / BLE
t
BW
OE
t
SD
IO DATA
注23
t
HZOE
有效数据
t
HD
笔记
21.数据I / O是，如果OE = V高阻
IH
.
22.如果CE
1
变为高电平， CE
2
同时变为低电平与WE = V
IH
时，输出保持在高阻抗状态。
23.在此期间，所述的I / O处于输出状态。不适用的输入信号。
文件编号： 38-05445牧师* F
第8页共15
[+ ]反馈
