位置：首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第0页 > CY62157EV30_09 > CY62157EV30_09 PDF资料 > CY62157EV30_09 PDF资料2第4页
CY62157EV30的MoBL
电容
最初和之后的任何设计或工艺变化，可能影响这些参数进行测试。
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= V
CC （典型值）
最大
10
10
单位
pF
pF
热阻
最初和之后的任何设计或工艺变化，可能影响这些参数进行测试。
参数
Θ
JA
Θ
JC
描述
测试条件
BGA
72
8.86
TSOP I
74.88
8.6
TSOP II
76.88
13.52
单位
° C / W
° C / W
热电阻静止空气，焊接在一个3 × 4.5英寸，
（结点到环境温度）的双层印刷电路板
热阻
（结点到外壳）
图4.交流测试负载和波形
R1
V
CC
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
V
CC
10%
GND
R2上升时间= 1 V / ns的
相当于：
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
下降时间= 1 V / ns的
戴维南等效
R
TH
产量
V
TH
3.0V
1103
1554
645
1.75
单位
Ω
Ω
Ω
V
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
2.5V
16667
15385
8000
1.20
文件编号： 38-05445牧师* F
第15 4
[+ ]反馈
