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CY62157EV30的MoBL
8兆位（ 512K ×16 ）静态RAM
特点
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TSOP I包配置为512K ×16或1M ×8 SRAM
高速： 45纳秒
温度范围
工业： -40 ° C至+ 85°C
汽车-A ： -40 ° C至+ 85°C
汽车-E ： -40°C至+ 125°C
宽电压范围： 2.20V到3.60V
引脚兼容CY62157DV30
超低待机功耗
典型待机电流： 2
μA
最大待机电流： 8
μA
（工业级）
超低有功功率
典型工作电流为1.8毫安F = 1兆赫
易内存扩展与CE
1
，CE
2
和OE特点
取消的时候自动断电
CMOS的最佳速度和力量
可提供无铅和无无铅48球VFBGA无铅
44引脚TSOP II和48引脚TSOP封装我
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先进的电路设计，提供超低工作电流。这
非常适合提供更多的电池Life （的MoBL
）便携式
应用，如蜂窝电话。该器件还具有一个
自动断电功能，可显著降低功耗
消费时地址不切换。将设备
取消当进入待机模式（ CE
1
高或CE
2
或低
无论BHE和BLE的高） 。的输入或输出引脚（IO
0
通过IO
15
）被置于高阻抗状态时的
取消选择器件（ CE
1
高或CE
2
低） ，则输出
禁用（ OE高） ，高字节使能和低字节使能是
禁用（ BHE ，BLE高） ，或者在写操作是活动的（ CE
1
低，CE
2
HIGH和LOW WE ） 。
写入装置，以芯片启用（ CE
1
LOW和CE
2
高）和写使能（ WE）输入低电平。如果低字节使能
（ BLE ）为低电平，然后从IO引脚上的数据（ IO
0
通过IO
7
）被写入
插入地址引脚指定的位置（A
0
至A
18
).
如果高字节使能（ BHE ）为低电平，然后从IO引脚上的数据（ IO
8
通过IO
15
）写入到该地址中指定的位置
销（A
0
至A
18
).
从设备中读取，需要芯片使能（ CE
1
LOW和CE
2
HIGH ）和输出使能（ OE ）低，而强迫写
使能（WE ）高。如果低字节使能（ BLE ）为低电平，则数据
从通过销出现的地址所指定的存储器位置
在IO
0
到IO
7
。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，然后从数据
内存出现在IO
8
到IO
15
。见
第10页上的真值表
用于读取和写入模式的完整描述。
为了获得最佳的实践建议，请参阅赛普拉斯
应用说明
AN1064 ， SRAM系统的指导。
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功能说明
该CY62157EV30是一种高性能的CMOS静态RAM
16位组织为512K字。该设备的特点
逻辑框图
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
行解码器
数据驱动因素
512K × 16 / 1M ×8
RAM阵列
检测放大器
IO
0
= 10
7
IO
8
= 10
15
列解码器
CE
2
字节
BHE
WE
OE
BLE
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
A
18
掉电
电路
CE
1
BHE
BLE
CE
2
CE
1
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05445牧师* F
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2009年6月26日
[+ ]反馈
