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CY62157DV30的MoBL
8兆位（ 512K ×16 ）的MoBL
静态RAM
特点
温度范围
- 工业级： -40 ° C至85°C
- 汽车-A ： -40 ° C至85°C
- 汽车-E ： -40°C至125°C
超高速： 45纳秒
宽电压范围： 2.20V - 3.60V
与CY62157CV25 ， CY62157CV30和引脚兼容
CY62157CV33
超低有功功率
- 典型工作电流：1.5毫安， F = 1兆赫
- 典型工作电流： 12毫安@频率= F
最大
超低待机功耗
易于扩展内存与CE
1
，CE
2
和OE
特点
自动断电时取消
CMOS的最佳速度/功耗
提供无铅和无无铅48球FBGA ，
44引脚TSOPII和无铅48引脚TSOPI
功能说明
[1]
该CY62157DV30是一个高性能的CMOS静态RAM
16位组织为512K字。该设备的特点
先进的电路设计，提供超低的工作电流。
这是理想的提供更多的电池寿命 （的MoBL
）在
便携式应用，如蜂窝telephones.The设备
还具有自动关机功能，可显著
降低功耗。该设备也可以投入
当取消待机模式（ CE
1
高或CE
2
或低
无论BHE和BLE的高） 。的输入/输出管脚（ I / O的
0
通过I / O
15
）被置于高阻抗状态时：
取消选择（ CE
1
高或CE
2
LOW ） ，输出被禁止（ OE
HIGH ） ，无论是高字节使能和低字节使能是
禁用（ BHE ，BLE高） ，或者在写操作期间（CE
1
低，CE
2
HIGH和LOW WE ） 。
写入设备通过取芯片使能实现
（ CE
1
LOW和CE
2
高）和写使能（ WE）输入低电平。
如果低字节使能（ BLE ）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O
0
通过I / O
7
） ，被写入到所指定的位置的
地址引脚（A
0
至A
18
） 。如果高字节使能（ BHE ）是
LOW ，然后从I / O引脚上的数据（ I / O
8
通过I / O
15
）写入到
在地址引脚指定的位置（A
0
至A
18
).
从设备读通过取芯片完成
启用（ CE
1
LOW和CE
2
高）和输出使能（ OE ）
低，而迫使写使能（ WE） HIGH 。如果字节低
使能（ BLE）为低电平，那么从所述存储器位置的数据
指定的地址引脚将出现在I / O
0
到I / O
7
。如果字节
高电平使能（ BHE ）为低电平，然后从内存中的数据会出现
在I / O
8
到I / O
15
。见真情表的完整说明
读写模式。
逻辑框图
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
行解码器
数据的驱动程序
512K × 16
RAM阵列
检测放大器
I / O
0
-I / O
7
I / O
8
-I / O
15
列解码器
BHE
WE
OE
BLE
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
A
18
CE
2
CE
1
掉电
电路
注意：
1.为了达到最佳实践建议，请参考赛普拉斯应用笔记标题
系统设计指南，
它可在http://www.cypress.com 。
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05392牧师* H
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2006年8月8日
