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CY62147EV30的MoBL
4兆位（ 256K ×16 ）静态RAM
特点
■
■
超高速： 45纳秒
温度范围
工业： -40 ° C至+ 85°C
汽车-A ： -40 ° C至+ 85°C
汽车-E ： -40°C至+ 125°C
宽电压范围： 2.20V到3.60V
引脚兼容CY62147DV30
超低待机功耗
典型待机电流： 1
μA
最大待机电流： 7
μA
（工业级）
超低有功功率
典型工作电流：在f = 1 MHz的2毫安
易内存扩展与CE
[1]
和OE特点
取消的时候自动断电
CMOS的最佳速度和力量
可提供无铅48球VFBGA （单/双CE选项）和
44引脚TSOPII封装
字节的掉电功能
理想提供更多的电池Life （的MoBL
）在便携式应用程序
阳离子，例如蜂窝电话。该器件还具有一个
自动断电功能，可显著降低功耗
消费时地址不切换。配售
器件进入待机模式，以更降低了功耗
超过99 ％时，取消（ CE为高或都BLE和BHE的
HIGH ） 。的输入和输出引脚（IO
0
通过IO
15
）置于
在高阻抗状态时：
■
■
■
■
■
■
■
取消选择（ CE HIGH ）
禁用输出（ OE高）
这两个高字节使能和低字节使能禁用
（ BHE ， BLE高）
写操作有效（ CE低和WE LOW ）
■
■
■
■
■
■
写入装置，以芯片启用（ CE）和写使能
（ WE）输入低电平。如果低字节使能（ BLE ）为低电平，则数据
从IO引脚（ IO
0
通过IO
7
）被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
17
） 。如果字节高
使能（ BHE ）为低，然后从IO引脚上的数据（ IO
8
通过IO
15
)
被写入的地址管脚的指定位置（一
0
至A
17
).
从设备中读取，需要芯片使能（ CE）和输出
启用（ OE ）低，而强迫写使能（ WE） HIGH 。如果
低字节使能（ BLE）为低电平时，则数据从存储器
由地址引脚指定位置上出现IO
0
到IO
7
。如果
高字节使能（ BHE ）为低电平，然后从内存中的数据
出现在IO
8
到IO
15
。见
真值表
第9页上的一
读写模式，完整的描述。
为了获得最佳的实践建议，请参阅赛普拉斯
应用说明
AN1064 ， SRAM系统的指导。
功能说明
该CY62147EV30是一种高性能的CMOS静态RAM
16位组织为256K字。该设备的特点
先进的电路设计，提供超低工作电流。这是
逻辑框图
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
行解码器
数据驱动因素
256K ×16
RAM阵列
检测放大器
IO
0
= 10
7
IO
8
= 10
15
列解码器
掉电
电路
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
记
1. BGA封装器件在单个CE和CE双选件提供。本数据手册，对于双CE设备， CE是指CE的内部逻辑组合
1
和
CE
2
这样，当CE
1
为低和CE
2
为高电平，CE为低。对于所有其他情况下， CE为高电平。
A
16
A
17
CE
BHE
BLE
BHE
WE
[1]
CE
OE
BLE
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05440牧师* G
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2009年3月31日
[+ ]反馈
