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的MoBL
,CY62126EV30
1兆位（ 64K ×16 ）静态RAM
特点
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功能说明
该CY62126EV30是一种高性能的CMOS静态RAM
16位组织为64K字
[1]
。该设备的特点
先进的电路设计，提供超低工作电流。这
非常适合提供更多的电池Life （的MoBL
）便携式
应用，如蜂窝电话。该器件还具有一个
自动断电功能，可显著降低功耗
消费时地址不切换。配售
器件在待机模式下通过更降低了功耗
超过99 ％的取消时（ CE HIGH ） 。输入和
输出引脚（ IO
0
通过IO
15
）被置于高阻抗
状态时：
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高速： 45纳秒
温度范围
工业： -40 ° C至+ 85°C
汽车： -40 ° C至+ 125°C
宽电压范围： 2.2V至3.6V
引脚兼容CY62126DV30
超低待机功耗
典型待机电流： 1
μA
最大待机电流： 4
μA
超低有功功率
典型工作电流： 1.3毫安在f = 1 MHz的
易内存扩展CE和OE特点
取消的时候自动断电
CMOS的最佳速度和力量
提供无铅48球VFBGA和44引脚TSOP II
套餐
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取消选择（ CE HIGH ）
禁用输出（ OE高）
这两个高字节使能和低字节使能禁用
（ BHE ， BLE高）
写操作有效（ CE低和WE LOW ）
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写入装置，以芯片启用（ CE）和写使能
（ WE）输入低电平。如果低字节使能（ BLE ）为低电平，则数据
从IO引脚（ IO
0
通过IO
7
）被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
15
） 。如果字节高
使能（ BHE ）为低，然后从IO引脚上的数据（ IO
8
通过IO
15
)
被写入的地址管脚的指定位置（一
0
至A
15
).
从设备中读取，需要芯片使能（ CE）和输出
启用（ OE ）低，而强迫写使能（ WE） HIGH 。如果
低字节使能（ BLE）为低电平时，则数据从存储器
由地址引脚指定位置上出现IO
0
到IO
7
。如果
高字节使能（ BHE ）为低电平，然后从内存中的数据
出现在IO
8
到IO
15
。见
“真值表”
第9页上的一
读写模式，完整的描述。
逻辑框图
记
1.为了达到最佳实践建议，请参考赛普拉斯应用笔记
AN1064 ， SRAM系统的指导。
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05486牧师* E
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2009年1月5日
[+ ]反馈
