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的MoBL
， CY62126EV30
最大额定值
超出最大额定值可能会缩短的电池寿命
装置。这些用户指导未经测试。
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................ -55°C至+ 125°C
电源电压对地
潜在................................. -0.3V至3.6V （V
CCmax
+ 0.3V)
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[4, 5]
................ -0.3V至3.6V （V
CCmax
+ 0.3V)
直流输入电压
[4, 5]
...............0.3V
至3.6V （V
CCmax
+ 0.3V)
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压.......................................... > 2001V
（ MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流............................................... ..... > 200毫安
工作范围
设备
CY62126EV30LL
范围
产业
环境
温度
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
[6]
2.2V至
3.6V
汽车-40 ° C至+ 125°C
电气特性
（在整个工作范围内）
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
测试条件
45纳秒（工业）
民
2.0
2.4
0.4
0.4
1.8
2.2
–0.3
–0.3
–1
–1
11
1.3
1
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
0.6
0.8
+1
+1
16
2.0
4
1.8
2.2
–0.3
–0.3
–4
–4
11
1.3
1
典型值
[1]
最大
55纳秒（汽车）
民
2.0
2.4
0.4
0.4
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
0.6
0.8
+4
+4
35
4.0
35
μA
典型值
[1]
最大
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
μA
μA
mA
输出高电压I
OH
= -0.1毫安
I
OH
= -1.0毫安，V
CC
> 2.70V
输出低电压
输入高电压
输入低
电压
I
OL
- 0.1毫安
I
OL
= 2.1毫安，V
CC
> 2.70V
V
CC
= 2.2V至2.7V
V
CC
= 2.7V至3.6V
V
CC
= 2.2V至2.7V
V
CC
= 2.7V至3.6V
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出
残
V
CC
= V
CCmax
I
OUT
= 0毫安
CMOS电平
输入漏电流接地< V
I
＆ LT ; V
CC
输出漏
当前
V
CC
经营供应F = F
最大
= 1/t
RC
当前
F = 1 MHz的
自动电源CE认证
断电流
-CMOS输入
I
SB1
CE > V
CC
0.2V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.2V, V
IN
＆ LT ; 0.2V ）
f = f
最大
（地址和数据只） ，
F = 0 （ OE ， BHE ， BLE和WE ）
V
CC
= 3.60V
CE > V
CC
– 0.2V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
F = 0，V
CC
= 3.60V
I
SB2 [7]
自动电源CE认证
断电流
-CMOS输入
1
4
1
30
μA
电容
对于所有的软件包。最初和之后的任何设计或工艺变化，可能影响这些参数进行测试。
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫，V
CC
= V
CC （典型值）
最大
10
10
单位
pF
pF
笔记
4. V
IL （ MIN ）
= -2.0V为脉冲持续时间小于20纳秒。
5. V
IH（ MAX）的
= V
CC
+ 0.75V为脉冲持续时间小于20纳秒。
6.全部设备交流操作假定100
μs
从0减速时间到V
cc
（分钟）和200
μs
等待时间V后
cc
稳定。
7.只有芯片使能（CE）和字节使能（BHE和BLE）需要被连接到CMOS电平，满足了我
SB2
/ I
CCDR
规格。其他输入可以悬空。
文件编号： 38-05486牧师* E
第13 3
[+ ]反馈
