CY14B108L ， CY14B108N
最大额定值
超出最大额定值可能损害的使用寿命
装置。这些用户指导未经测试。
储存温度..................................- 65 ° C至+ 150°C
最大累积储存时间
在150 °C环境温度.......................... 1000H
在85 °C环境温度.................... ..20年
环境温度与
电源应用.............................................- 55 ° C至+ 150°C
在V电源电压
CC
相对于GND .......... -0.5V至4.1V
施加电压到输出
在高Z状态....................................... -0.5V到V
CC
+ 0.5V
输入电压.......................................... -0.5V至Vcc + 0.5V
瞬态电压（ <20 NS ）
任何引脚接地电位.................. -2.0V到V
CC
+ 2.0V
封装功耗
能力（T
A
= 25 ° C） ............................................. ....... 1.0W
表面贴装无铅焊接
温度（ 3秒） ........................................... + 260 ℃，
直流输出电流（ 1输出的时间， 1秒持续时间） .... 15毫安
静电放电电压......................................... > 2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流............................................... .... > 200毫安
工作范围
范围
广告
产业
环境温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
2.7V至3.6V
DC电气特性
在整个工作范围（V
CC
= 2.7V至3.6V ）
参数
描述
测试条件
电源
V
CC
平均V
CC
电流T
RC
= 20 ns的
I
CC1
t
RC
= 25纳秒
t
RC
- 45纳秒
无输出负载得到的值
(I
OUT
= 0 mA时）
I
CC2
I
CC3
I
CC4
I
SB
I
IX[8]
平均V
CC
当前
在商店
平均V
CC
当前
在T
RC
= 200纳秒，
V
CC
（典型值） ，25°C
平均V
帽
目前在
自动存储周期
V
CC
待机电流
输入漏
目前（除HSB ）
输入漏
电流（ HSB ）
断态输出
漏电流
输入高电压
输入低电压
输出高电压
输出低电压
储能电容
民
2.7
广告
典型值
[7]
3.0
最大
3.6
70
70
55
75
75
57
20
单位
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
产业
所有的输入无关，V
CC
=最大
对于持续时间T的平均电流
商店
在CMOS电平的所有I / P循环。
无输出负载得到的值（我
OUT
= 0 mA）的。
所有的输入不在乎。持续时间平均电流
t
商店
CE > （V
CC
– 0.2V). V
IN
< 0.2V或> （V
CC
- 0.2V ） 。待机
非易失性循环后的电流电平已完成。
输入是静态的。 F = 0兆赫。
V
CC
=最大，V
SS
＆ LT ; V
IN
＆ LT ; V
CC
V
CC
=最大，V
SS
＆ LT ; V
IN
＆ LT ; V
CC
V
CC
=最大，V
SS
＆ LT ; V
OUT
＆ LT ; V
CC
， CE或OE > V
IH
or
BHE / BLE > V
IH
或WE < V
IL
40
10
mA
10
mA
μA
μA
μA
V
V
V
V
μF
–2
–200
–2
2.0
V
ss
– 0.5
2.4
122
150
+2
+2
+2
V
CC
+ 0.5
0.8
0.4
360
I
OZ
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
V
帽
I
OUT
= -2毫安
I
OUT
= 4毫安
V之间
帽
引脚和V
SS
， 5V额定
笔记
7.典型值是在25℃ ，V
CC
= V
CC
（典型值） 。未经100％测试。
8. HSB引脚有我
OUT
= -2微安的V
OH
2.4V时主动HIGH和LOW驱动器被禁用。当他们被允许标准的V
OH
和V
OL
是有效的。这
参数的特点，但未经测试。
文件编号： 001-45523修订版* D
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