CY14B108L ， CY14B108N
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文档标题： CY14B108L ， CY14B108N 8兆位（ 1024K ×8 / 512K ×16 ）的nvSRAM
文档编号： 001-45523
启示录
**
*A
ECN号
2428826
2520023
原稿。变化
GVCH
GVCH / PYRS
服从
日期
见ECN
06/23/08
新的数据表
我更新
CC1
对于WRK = 20ns的，为25ns ，并为45nS的访问速度为工业
商业级温度
最新热电阻值48 FBGA ， 44 - TSOP II和54 - TSOP II
套餐
改变的吨
CW
16ns至15ns的价值
加到最大累积的存储时间为150 ℃和85 ℃的温度
补充的最佳实践
改变了我
CC2
由12mA至20mA
改变了我
CC3
从38毫安至40mA
改变了我
CC4
由12mA至10mA
改变了我
SB
从6毫安至10mA
改变了V
帽
从164uF至360uF
变更后输入上升和5ns的在3ns下降时间
我更新
CC1
, I
CC3
, I
SB
我
OZ
测试条件
改变的吨
延迟
分别为20ns ， 25ns的，用于为25ns 15ns的，为20ns ，为45nS部分
改变的吨
商店
从15毫秒到8毫秒
加V
HDIS
, t
HHHD
和T
LZHSB
参数
软件控制的存储/调用周期表：更改吨
AS
给T
SA
改变的吨
GHAX
给T
HA
加入叔
DHSB
参数
改变的吨
HLHX
给T
PHSB
更新牛逼
SS
从70us到100us的
对于SRAM操作添加真值表
更新订购信息
从初步到最终移动的数据表状态
更新自动存储操作
我更新
SB
测试条件
更新脚注7
引用脚注9 V
CCRISE
, t
HHHD
和T
LZHSB
参数
更新V
HDIS
参数说明
第4页：更新五金店（ HSB ）操作说明
第5页：更新软件商店的描述
更新牛逼
延迟
参数说明
更新脚注18 ，并添加脚注23
引用的脚注23至图11和图12
变化的说明
*B
2676670
GVCH / PYRS
03/20/2009
*C
2712462
GVCH / PYRS
05/29/2009
*D
2746310
GVCH
07/29/2009
文件编号： 001-45523修订版* D
第23页24
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