CY14B108L ， CY14B108N
8兆位（ 1024K ×8 / 512K ×16 ）的nvSRAM
特点
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功能说明
赛普拉斯CY14B108L / CY14B108N是一个快速静态RAM ，具有
非易失性元件中的每个存储单元。内存
组织为1024字节的8位或每16位512K字
每一个。嵌入式非易失性元件结合
QuantumTrap技术，生产世界上最可靠的
非易失性存储器。该SRAM提供了无限的读写
周期，而独立的非易失性数据驻留在高度
可靠QuantumTrap细胞。从SRAM的数据传输
非易失性元件（实体店经营）发生
在自动关闭电源。上电时，数据恢复
从非易失性存储器SRAM中（该RECALL操作）。
无论是STORE和RECALL操作也可
在软件控制下。
20纳秒， 25纳秒，和45 ns访问时间
内部组织为1024K ×8 （ CY14B108L ）或512K ×16
(CY14B108N)
关上掉电自动STORE手中只有一小
电容
STORE到QuantumTrap发起的非易失性元件
软件，器件引脚或自动存储在掉电
召回SRAM通过软件或上电启动
无限的读，写和召回周期
200000 STORE周期来QuantumTrap
20年的数据保存
单3V + 20 ％ ， - 10％操作
商用和工业温度
48球FBGA和五十四分之四十四引脚TSOP -II封装
无铅并符合RoHS标准
逻辑框图
[1, 2, 3]
Quatrum陷阱
2048 X 2048 X 2
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
17
A
18
A
19
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
DQ
8
DQ
9
DQ
10
DQ
11
DQ
12
DQ
13
DQ
14
DQ
15
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
I
N
P
U
T
B
U
F
F
E
R
S
R
O
W
D
E
C
O
D
E
R
静态RAM
ARRAY
2048 X 2048 X 2
商店
召回
V
CC
V
帽
动力
控制
存储/调用
控制
软件
检测
HSB
A
14
- A
2
列I / O
COLUMN DEC
OE
WE
CE
BLE
BHE
笔记
1.地址
0
- A
19
对于X8的配置和地址
0
- A
18
对于X16的配置。
2.数据DQ
0
- DQ
7
对于X8的配置和数据DQ
0
- DQ
15
对于X16的配置。
3. BHE和BLE适用于只有X16的配置。
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 001-45523修订版* D
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2009年7月30日
[+ ]反馈
