CY14B104K ， CY14B104M

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（续）

文档标题： CY14B104K ， CY14B104M 4兆位（ 512 K＆times 256分之8 K＆times 16 ）的nvSRAM与实时时钟

文档编号： 001-07103

原稿。的

服从

ECN版本号

变化的说明

变化

日期

*J

2600941 GVCH / PYRS

11/04/08

除去15纳秒从“功能”访问速度

变化的部分数量从CY14B104K / CY14B104M到

CY14B104KA/CY14B104MA

更新逻辑框图

更新脚注1

添加脚注2

引脚定义：更新WE ， HSB和NC引脚说明

第4页：更新SRAM读取，写入SRAM ，自动存储操作说明

第4页：硬件更新的存储操作和硬件RECALL （上电）

描述

注：1和8所引用的模式选择表

更新脚注6

第6页：更新的数据保护说明

第6页：更新的启动和停止的振荡器描述

第7页：更新校准时钟描述

第7页：更新时间报警说明

第8页：新增标志登记

添加脚注10和11

更新了图4 ：删除RF寄存器和改变

2

值从56pF到

12pF

更新寄存器映射表3

更新寄存器映射详细表4

最大额定值：增加最大。累计储存时间

改变后的输出短路电流参数名称为直流输出电流

改变了我

CC2

从6毫安至10mA

改变了我

CC4

从6毫安到5毫安

改变了我

SB

从3毫安到5毫安

我更新

CC1,

I

CC3,

I

SB

我

OZ

测试条件

改变了V

帽

电压最大值由82uF至180uF

更新脚注12和13

添加脚注14

添加的数据保留和耐力表

更新输入上升和下降时间在AC测试条件

供的最低温度为10 2秒改变TOCS值

对于室温5 1秒更新的TOC值

引用脚注20吨

OHA

参数

更新了所有的开关波形

更新脚注20

补充图11 （ SRAM写周期： BHE和BLE控制）

更新牛逼

延迟

价值

加V

HDIS

, t

HHHD

和T

LZHSB

参数

更新脚注27

添加脚注29

软件控制的存储/调用表：更改吨

AS

给T

SA

改变的吨

GHAX

给T

HA

改变的吨

HA

从1纳秒至1ns的价值

加入叔

DHSB

参数

改变的吨

HLHX

给T

PHSB

更新牛逼

SS

从70us到100us的

对于SRAM操作添加真值表

最新的订购信息和零件编号命名

文件编号： 001-07103修订版* S

第31页33

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