初步
CY14B101P
自动存储或通电RECALL
参数
t
FA [ 10 ]
t
店[ 11 ]
t
DELAY [ 12 ]
V
开关
t
VCCRISE[6]
V
HDIS[6]
t
LZHSB[6]
t
HHHD[6]
描述
上电RECALL时间
STORE周期的持续时间
时间可以完成SRAM写周期
低电压触发电平
VCC上升时间
HSB禁止输出电压
HSB输出活动时间
HSB高活性的时间
150
1.9
5
500
CY14B101P
民
最大
20
8
25
2.65
单位
ms
ms
ns
V
s
V
s
ns
开关波形
图27.自动存储或通电RECALL
[13]
V
开关
V
HDIS
11
11
V
CC
V
VCCRISE
t
HHHD
HSB OUT
t
LZHSB
记
t
商店
t
HHHD
t
延迟
t
LZHSB
记
t
商店
记
14
自动存储
电源 -
UP
召回
阅读&写
抑制
(
出线RWi
)
t
延迟
t
FA
t
FA
上电
召回
阅读&写
棕色
OUT
自动存储
上电
召回
阅读&写
动力
下
自动存储
笔记
10. t
FA
开始从时间V
CC
上升超过V
开关。
11.如果一个SRAM写入并没有从上次的非易失性周期发生，没有自动存储或存储硬件发生。
12.在五金商店和自动存储开始，SRAM写操作继续启用时间t
延迟
.
存储，调用时13读取和写入周期被忽略，而V
CC
低于V
开关。
14. HSB引脚只能通过内部RT外接100K电阻驱动为高电平至VCC ， HSB驱动程序被禁用。
文件编号： 001-44109修订版* C
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