BZX55C 3V3 - BZX55C 33系列
分立功率&信号
技术
BZX55C 3V3 - 33系列半瓦齐纳二极管
绝对最大额定值*
参数
存储温度范围
最高结工作温度
焊接温度（ 1/16“从案例10秒）
器件总功耗
减免上述25℃
浪涌电源**
TA = 25° C除非另有说明
公差： C = 5 ％
价值
-65到+200
+ 200
+ 230
500
4.0
30
单位
°C
°C
°C
mW
毫瓦/°C的
W
*
这些额定值的限制值，超过该二极管的适用性可能受到损害。
**
非经常性方波PW = 8.3毫秒， TA = 50 ℃。
注意事项：
1)
这些评级是基于200度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。工厂应在涉及脉冲应用咨询
或低工作周期操作。
DO-35
电气特性
设备
民
BZX55C 3V3
BZX55C 3V6
BZX55C 3V9
BZX55C 4V3
BZX55C 4V7
BZX55C 5V1
BZX55C 5V6
BZX55C 6V2
BZX55C 6V8
BZX55C 7V5
BZX55C 8V2
BZX55C 9V1
BZX55C 10
BZX55C 11
BZX55C 12
BZX55C 13
BZX55C 15
BZX55C 16
BZX55C 18
BZX55C 20
BZX55C 22
BZX55C 24
BZX55C 27
BZX55C 30
BZX55C 33
3.1
3.4
3.7
4.0
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28.0
31.0
TA = 25° C除非另有说明
V
Z
(V)
最大
3.5
3.8
4.1
4.6
5.0
5.4
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.1
23.3
25.6
28.9
32.0
35.0
Z
Z
()
85
85
85
75
60
35
25
10
8.0
7.0
7.0
10
15
20
20
26
30
40
50
55
55
80
80
80
80
@
I
ZT
（MA ）
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
Z
ZK
()
600
600
600
600
600
550
450
200
150
50
50
50
70
70
90
110
110
170
170
220
220
220
220
220
220
@
I
ZT
（MA ）
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
V
R
(V)
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
3.0
5.0
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
@
I
R
(A)
2.0
2.0
2.0
1.0
0.5
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
@
I
R
(A)
T
A
= 150°C
40
40
40
20
10
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
T
C
(%/°C)
- 0.060
- 0.055
- 0.050
- 0.040
- 0.020
+0.010
+0.025
+0.032
+0.040
+0.045
+0.048
+0.050
+0.055
+0.060
+0.065
0.070
0.070
0.075
0.075
0.080
0.080
0.080
0.085
0.085
0.085
I
ZM
（MA ）
115
105
95
90
85
80
70
64
58
53
47
43
40
36
32
29
27
24
21
20
18
16
14
13
12
V
F
FOWARD电压= 1.0 V最大@我
F
= 100毫安所有BZX 55系列
1997仙童半导体公司
首页
上一页
1
下一页
尾页
共1页
