BZM55-Series
威世半导体
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
P
合计
- 总功率耗散（ mW）的
500
400
300
200
100
0
0
C
D
- 二极管电容（pF ）
600
200
150
V
R
= 2
V
T
j
= 25 °C
100
50
0
40
80
120
160
200
0
95 9601
5
10
15
20
25
95 9602
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
V
Z
- z - 电压（V）
图1.总功率耗散与环境温度
图4.二极管电容与Z-电压
V
ZTN
- 相对
电压
变化
1000
V
Z
-
电压
CHANGE （MV ）
1.3
V
ZTN
=
V
Zt
/V
Z
(25 °C)
T
j
= 25 °C
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
- 60
95 9599
TK
VZ
= 10 x 10
-4
/K
8
x 10
-4
/K
6 x 10
-4
/K
4 x 10
-4
/K
2 x 10
-4
/K
100
I
Z
= 5毫安
10
0
- 2 x 10
-4
/K
- 4 x 10
-4
/K
1
0
95 9598
5
10
15
20
25
0
60
120
180
240
V
Z
- z - 电压（V）
T
j
- 结温（ ° C）
工作电压下运行图2.典型的变化
在T条件
AMB
=25°C
工作电压图5.典型的变化与结
温度
TK
VZ
- 温度系数
V
Z
(10
-4
/K)
15
I
F
- 正向电流（mA ）
100
10
T
j
= 25 °C
10
1
5
I
Z
= 5毫安
0.1
0.01
0.001
0
-5
0
95 9600
10
20
40
30
V
Z
- z - 电压（V）
50
95 9605
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
F
- 前进
电压
(V)
Vz的图3.温度系数与Z-电压
图6.正向电流与正向电压
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文档编号85597
修订版1.9 ， 10 -MAR -06
