INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
V
CEO （ SUS ）
V
CE(sat)-1
V
CE(sat)-2
V
BE （ SAT ）
I
CEV
I
EBO
h
FE
C
OB
参数
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
输出电容
条件
I
C
= 0.1A ;我
B
= 0; L = 10MH
I
C
= 3A ;我
B
= 0.3A
B
BUW132H
民
450
典型值。
最大
单位
V
2.5
3.0
1.5
0.25
1.5
1
7
350
V
V
V
mA
mA
I
C
= 5A ;我
B
= 0.5A
B
I
C
= 5A ;我
B
= 0.5A
B
V
CE
=V
CESMmax
;V
BE
=-1.5V
V
CE
=V
CESMmax
;V
BE
=-1.5V;T
J
=100℃
V
EB
= 6V ;我
C
= 0
I
C
= 8A ; V
CE
= 5V
I
E
= 0 ; V
CB
= 10V ; F
TEST
= 1kHz时
pF
开关时间，电阻性负载
t
on
t
英镑
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
= 5A ;我
B1
= 0.5A ;我
B2
= -1A
0.4
1.5
0.1
μs
μs
μs
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