SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
BUT11F
I
C
= 0.1A ;我
B
=0
BUT11AF
BUT11F
BUT11AF
BUT11F
BUT11AF
BUT11F
BUT11AF
I
C
= 3A ;我
B
=0.6A
条件
BUT11F BUT11AF
符号
民
400
典型值。
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极
维持电压
V
450
V
CESAT
集电极 - 发射极
饱和电压
1.5
I
C
= 2.5A ;我
B
=0.5A
I
C
= 3A ;我
B
=0.6A
1.3
I
C
= 2.5A ;我
B
=0.5A
V
CE
=850V ;V
BE
=0
1.0
V
CE
=1000V ;V
BE
=0
V
EB
9V ;我
C
=0
I
C
= 5毫安; V
CE
=5V
I
C
= 0.5A ; V
CE
=5V
10
10
10
35
35
V
V
BESAT
基射
饱和电压
V
I
CES
集热器
截止电流
mA
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
mA
开关时间阻性负载
t
on
t
s
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
= 2.5A ;我
B1
=- I
B2
=0.5A
V
CC
=250V;R
L
=100B
1.0
4.0
0.8
s
s
s
2
