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结构

功能

硅单片集成电路

低输入失调电压CMOS运算放大器

产品系列

BU5281G

BU5281SG

Wide output voltage range(VSS½VDD)

·低输入偏置电流（ 1 [ PA]典型值）。

·低输入失调电压（ 2.5 [毫伏]最大。 ）

·压摆率（ 2.0 [V / μs的]典型值）。

·低电源电流（ 750 μA ]典型值）。

ULOW

power supply voltage operation(1.8[V]½5.5[V])

特点

○绝对最大额定值（Ta = 25 ℃ ] ）

参数

电源电压

功耗

差分输入电压（ * 3 ）

输入共模电压范围

工作温度范围

TOPR

BU5281S

存储温度范围

最高结温

TSTG

TJMAX

-40½+105

-55½+125

+125

℃

℃

符号

VDD ， VSS

Pd

VID

VICM

BU5281

等级

＋7

540(*1)(*2)

VDD ， VSS

(VSS-0.3)½VDD+0.3

-40½+85

℃

单位

V

mW

V

V

·本IC在设计上不保护，防止放射性射线。

（ * 1 ）要使用在温度高于TA = 25 ℃ ]减少5.4 [毫瓦。

（* 2）装在一个玻璃环氧印刷电路板（ 70毫米] × 70 [毫米] × 1.6 [毫米]）。

（* 3）反相输入端和非反相输入端之间的电压差的差分输入电压。

然后输入端子电压被设定为大于VSS。

○OPERATING CONDITION(BU5281:Ta=-40[℃]½+85[℃] BU5281S:Ta=-40[℃]½+105[℃])

参数

电源电压

符号

VDD

等级

＋1.8½＋5.5 (Single Supply)

单位

V

版本B