BU48 □□ G， BU48 □□F ， BU48 □□ FVE ， BU49 □□ G， BU49 □□F ， BU49 □□ FVE系列
技术说明
操作注意事项
1 。绝对最大范围
绝对最大额定值是那些价值超过该设备的寿命可能会被破坏。我们无法定义的
故障模式，如短模式或打开模式。因此，一个物理安全对策，如保险丝，是给予
当一个特定的模式，以超出绝对最大额定值的考虑。
2 。 GND电位
GND端子应该是一个最低电压电位每一个国家。
请确保所有引脚都在地上，即使有短暂的功能。
3 。电气特性
一定要检查电气特性，是一种试探性的规范将受到温度改变，
电源电压和外部电路。
4 。旁路电容的噪声抑制
请放入拒绝V之间的噪声
DD
引脚与GND与1uF的过度和V之间
OUT
引脚与GND与1000pF的。
如果非常大的电容，瞬态响应可能会晚点。请确认足够的点。
5 。码头和焊接之间的短路
DO输出引脚和V之间没有短路
DD
引脚，输出引脚与GND引脚或V
DD
引脚和GND引脚。当焊接
IC的电路板，请异常谨慎的方向和IC的位置。当方向是
误的集成电路可能会被破坏。
6 。电磁场
当该装置是用在强电磁场失当功能可能发生。
7.
8.
9.
在V
DD
行inpedance可能会导致由于检测电流的振荡。
A V
DD
-GND电容器（尽可能靠近连接）要高V使用
DD
线路阻抗状态。
比最低限度的输入电压下，使在V
OUT
高阻抗，并且它必须是V
DD
在上拉（V
DD
）的条件。
RL Resistar 10.建议值为10kΩ的上（ VDET = 1.5V 4.8V ） ，
在100kΩ的（ VDET = 0.9 1.4V ） 。
11.该IC具有极高的阻抗终端。小量泄漏电流，由于电路板表面的污秽可能导致
意想不到的操作。在这些条件下的应用价值，应慎重选择。如果10MΩ泄漏假定
在CT端子和GND端子，在CT端子和V之间1MΩ连接之间
DD
终端会
推荐使用。此外，如果假定在V之间的漏
OUT
端子和GND端子，上拉电阻
应小于1/10假定泄漏的阻力。
12.外部参数
对于R
L
，推荐范围为10kΩ 1MΩ 。有许多因素（电路板布局，等等） ，可以影响特性。
请验证并确认使用实际应用。
上电复位操作13.电源
请注意，上电复位输出功率与Vcc的上升时间会有所不同。请确认实际操作。
14.注意事项板检查
连接低阻抗电容，运行检查与董事会可能会产生应力的IC 。因此，可以
某些测试操作的每一个过程之前，使用适当的放电过程。
为了防止静电积累和放电，在装配过程中，充分研磨自己和任何
设备可以维持ESD损坏，并继续观察所有移交，转让ESD防程序
和存储操作。在尝试组件连接到测试设置，请确保在电源
OFF 。同样地，要确保电源是断开移除连接至测试设置的任何组件之前。
15.当电源被接通，因为incertain情况下，瞬间皮疹电流流入集成电路在逻辑上
不稳定，夫妻俩电容，宽度和主导线GND模式必须加以考虑。
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