CYStech电子股份有限公司
低VCESAT PNP外延平面晶体管
规格。编号： C816M3 -A
发行日期： 2003年5月26日
修订日期： 2005年11月28日
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BTB1427M3
特点
低V
CE
（SAT） ，V
CE
（SAT） = - 0.6 V（典型值） ，在我
C
/ I
B
= -4A / -0.1A
优良的直流电流增益特性
符号
BTB1427M3
概要
SOT-89
B：基本
C：收藏家
E：发射器
B权证
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
Pd
Pd
Tj
TSTG
范围
-20
-15
-6
-5
-10
（注1 ）
0.5
2
（注2 ）
150
-55~+150
单位
V
V
V
A
W
°C
°C
注意事项：1
.
单脉冲Pw = 10ms的
2.当安装在一个40
×40 ×0.7
毫米的陶瓷板。
BTB1427M3
CYStek产品规格
