CYStech电子股份有限公司
低VCESAT PNP外延平面晶体管
规格。编号： C812M3
发行日期： 2003年5月25日
修订日期： 2006年2月15日
页页次： 1/5
BTB1188M3
特点
低V
CE
（SAT） ，V
CE
（SAT） = - 0.45 V（典型值） ，在我
C
/ I
B
= -2A / -0.5A
出色的电流增益特性
补充BTD1766M3
无铅封装
符号
BTB1188M3
概要
SOT-89
B：基本
C：收藏家
E：发射器
B权证
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流（脉冲）
功耗
功耗
结温
储存温度
记
:
1.单脉冲， PW = 10毫秒
BTB1188M3
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
d
P
d
Tj
TSTG
范围
-40
-30
-5
-2
-5
（注1 ）
0.5
2
（注2 ）
150
-55~+150
单位
V
V
V
A
A
W
W
°C
°C
2.在安装40
×40 ×0.7
毫米的陶瓷板。
CYStek产品规格
