BD8967FVM
切换
调节器效率
效率
可通过以下所示的等式来表示：
η=
V
OUT
×I
OUT
VIN × Iin的
×100[%]=
P
OUT
针
×100[%]=
P
OUT
P
OUT
+P
D
α
×100[%]
技术说明
效率可通过降低开关调节器的功耗因子P可以改善
D
α
如下：
耗散因素：
2
1）对电感器和FET的电阻耗散： PD （IR）的
2 ）栅极充电/放电损耗： PD （门）
3 ）开关损耗： PD （ SW ）
4 ） ESR电容的损耗： PD （ ESR ）
IC 5 ）工作电流损耗： PD （ IC ）
2
2
1） PD（ I R ） =我
OUT
×(R
COIL
+R
ON
)
(R
COIL
[ Ω ] ：电感的直流电阻R
ON
[Ω] ：ON FET的性能，我
OUT
[A] ：输出电流） 。
2)PD(Gate)=Cgs×f×V
（CGS [F] ：场效应管的栅极电容，频率[Hz ] ：开关频率， V [ V] ：门极驱动FET的电压）
2
VIN ×C
RSS
×I
OUT
×f
3)PD(SW)=
(C
RSS
[F] ：场效应管的反向传输电容，我
DRIVE
[A] ：门的峰值电流） 。
I
DRIVE
2
4)PD(ESR)=I
RMS
× ESR （我
RMS
[A] ：电容纹波电流， ESR [Ω] ：等效串联电阻） 。
5)PD(IC)=Vin×I
CC
(I
CC
[A] ：电路电流） 。
●思考
在允许的损耗和发热
作为该IC功能高效率而不显著发热体，在大多数应用中，没有特别考虑
需要在允许的损耗或发热。在壳体的极端条件下，然而，包括较低的输入
电压，更高的输出电压，负荷较重和/或更高的温度下，可允许的耗散和/或发热体
必须仔细考虑。
用于耗散，仅导通损耗是由于电感的直流电阻和导通FET的电阻被考虑。
由于导通损耗被认为发挥中包括上述提及的其它损耗的主导作用
栅极充电/放电损耗和开关损耗。
2
P = I
OUT
×(R
COIL
+R
ON
)
R
ON
= D ×R
ONP
+(1-D)R
ONN
1000
“使用
单独的IC
θj-a=322.6℃/W
* MOUNTED
在玻璃环氧树脂印刷电路板
θj-a=212.8℃/W
功耗： PD [毫瓦]
D：占空比（ = V
OUT
/V
CC
)
R
COIL
ΔDC
线圈的电阻
R
ONP
：ON
P沟道MOS场效应晶体管的电阻
R
ONN
：ON
的N沟道MOS FET电阻
I
OUT
：输出
当前
如果V
CC
=5V, V
OUT
= 1.5V ，R
COIL
=0.15, R
ONP
=0.35, R
ONN
=0.25
I
OUT
= 0.8A ，例如
D， V
OUT
/V
CC
=3.3/5=0.66
R
ON
=0.66×0.35+(1-0.66)×0.25
=0.231+0.085
=0.316[]
P =0.8
2
×(0.15+0.316)
≒298.2[mW]
800
①587.4mW
600
400
②387.5mW
200
0
0
25
50
75 85 100
125
150
图。 24
为R
ONP
高于R
ONN
在此集成电路中，耗散随着ON占空比变大。随着对价
关于如上述的耗散，热设计，必须进行以足够的裕量允许的。
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2009.05 - Rev.A的
