BD52 □□ G， BD52 □□ FVE ， BD53 □□ G， BD53 □□ FVE系列
绝对最大额定值（Ta = 25 ° C）
参数
电源电压
N沟道开漏输出
输出电压
CMOS输出
*1*3
SSOP5
动力
*2*3
耗散
VSOF5
工作温度
保存环境温度
技术说明
符号
VDD ， GND
VOUT
Pd
TOPR
TSTG
范围
-0.3 ~ +10
GND - 0.3 + 10
GND - 0.3 VDD + 0.3
540
210
-40 ~ +105
-55 ~ +125
单位
V
V
mW
°C
°C
* 1使用上述TA = 25 ℃，结果在每度一5.4mW的损失。
* 2使用上述TA = 25 ℃，结果在每度一2.1mW的损失。
* 3当ROHM的标准电路板（ 70毫米X30 70毫米X30 1.6毫米玻璃环氧树脂板）安装。
电气特性（除非另有说明TA = -40至105 ° C）
参数
检测电压
符号
V
DET
条件
V
DD
= HL ，R
L
=470k
V
DET
=2.3-3.1V
V
DET
=3.2-4.2V
V
DD
=V
DET
-0.2V
V
DET
=4.3-5.2V
V
DET
=5.3-6.0V
V
DET
=2.3-3.1V
V
DET
=3.2-4.2V
V
DD
=V
DET
+2.0V
V
DET
=4.3-5.2V
V
DET
=5.3-6.0V
V
OL
≤0.4V,
TA = 25 105 ° C，R
L
=470k
V
OL
≤0.4V,
TA = -40 25 ° C，R
L
=470k
V
DS
=0.5V V
DD
=1.2V
V
DS
=0.5V V
DD
=2.4V
V
DS
=0.5V V
DD
=4.8V V
DET
=2.3-4.2V
V
DS
=0.5V V
DD
=6.0V V
DET
=4.3-5.2V
V
DS
=0.5V V
DD
=8.0V V
DET
=5.3-6.0V
V
DD
=V
DS
=10V
V
DD
=V
DET
×1.1, V
DET
= 2.3-2.6V ，R
L
=470k
V
DD
=V
DET
×1.1, V
DET
= 2.7-4.2V ，R
L
=470k
CT引脚阈值电压
V
CTH
V
DD
=V
DET
×1.1, V
DET
= 4.3-5.2V ，R
L
=470k
V
DD
=V
DET
×1.1, V
DET
= 5.3-6.0V ，R
L
=470k
输出延迟性
CT引脚输出电流
检测电压
温度COEF网络cient
滞后电压
R
CT
I
CT
V
DD
=V
DET
×1.1 V
CT
=0.5V
V
CT
=0.1V V
DD
=0.95V
V
CT
=0.5V V
DD
=1.5V
*1
*1
*1
电路电流时的开
I
DD
1
短路电流OFF时
I
DD
2
工作电压范围
“低”输出电流（ N沟道）
V
OPL
I
OL
“高”输出电流（ P沟道）
泄漏电流关断时
I
OH
ILEAK
*1
分钟。
马克斯。
V
DET
(T)
V
DET
(T)
V
DET
(T)
×0.99
×1.01
-
0.80
2.40
-
0.85
2.55
-
0.90
2.70
-
0.95
2.85
-
0.75
2.25
-
0.80
2.40
-
0.85
2.55
-
0.90
2.70
0.95
-
-
1.20
-
-
0.4
1.2
-
2.0
5.0
-
0.7
1.4
-
0.9
1.8
-
1.1
2.2
-
-
-
0.1
V
DD
V
DD
V
DD
×0.30
×0.40
×0.60
V
DD
V
DD
V
DD
×0.30
×0.45
×0.60
V
DD
V
DD
V
DD
×0.35
×0.50
×0.60
V
DD
V
DD
V
DD
×0.40
×0.50
×0.60
5.5
9
12.5
15
40
-
150
240
-
-
V
DET
×0.03
±100
V
DET
×0.05
±360
V
DET
×0.08
极限
典型值。
单位
V
A
A
V
mA
mA
A
V
M
A
PPM /°C的
V
V
DET
/ ΔT TA = -40 ° C至105℃
V
S
V
DD
= LHL ，R
L
=470k
V
S
（T ） ：标准检测电压（ 2.3V至6.0V ， 0.1V步）
R
L
：上拉电阻连接V之间
OUT
和电源。
设计保证。 （出厂检验是不是对所有的产品进行。 ）
* 1保证为Ta = 25 ℃。
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2009.06 - Rev.B的
