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BD00HC0WEFJ
（HEAT
分散特性
◎HTSOP-J8
技术说明
测量条件：安装在ROHM板和IC
4.0
功耗： PD [ W]
许容损失：钯
[W]
⑤
3.76W
3.0
④
2.11W
③
1.10W
②
0.82W
①
0.50W
基板尺寸： 70毫米
×
70mm
×
1.6mm
（基板与散热孔）
*焊接
在基片和包反向曝光热
辐射部分
①
只有IC
θj-a=249.5℃/W
②
1层（铜箔是： 0毫米× 0毫米）
θj-a=153.2℃/W
③
2层（铜箔是：型15mm x 15mm ）
θj-a=113.6℃/W
④
2-层（铜箔是： 70毫米X30 70毫米）
θj-a=59.2℃/W
⑤
4层（铜箔是： 70毫米X30 70毫米）
θj-a=33.3℃/W
2.0
1.0
0
0
25
75
100
125
周囲温度
：大[
℃
]
环境温度：钽[
℃
]
50
150
●关于
输入至输出电容器
建议将电容放在输入引脚和GND ，输出引脚与GND之间附近的引脚。
一种电容器，输入引脚和GND之间，是有效的，当电源为高阻抗状态或图纸长。也作为一个
电容，输出引脚与GND之间，更大的容量，更可持续的行规，这使得改善
由负载变化的特点。但是，请通过安装在电路板上的实际应用进行检查。陶瓷电容器
通常具有差，热特性和系列偏压特性，而且容量逐渐减小
使用条件。
欲了解更多详细信息，请您务必询问制造商，并选择最佳的陶瓷电容。
陶瓷电容器的能力直流偏置特性
（例如特性）
10耐电压
10
0
10耐电压
B1特性
GRM188B11A105KA61D
-10
静电容量变化[ ％ ]
-20
-30
B特性
6.3耐电压
B特性
10耐电压
-40
-50
-60
-70
-80
-90
-100
0
1
f特性
4耐电压
10耐电压
f特性
X6S特性
2
直流偏置电压[ V]
3
4
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2010.04 - Rev.A的
