位置:首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第0页 > BD00GA1EFJ-E2 > BD00GA1EFJ-E2 PDF资料 > BD00GA1EFJ-E2 PDF资料3第3页

BD00HC0WEFJ
参考
数据(除非另有说明, TA = 25 ℃ , EN = 3V , VCC = 6V ,R
1
= 43kΩ ,R
2
=8.2kΩ)
EN
Vo
50mV/div
Vo
50mV/div
VCC
5V/div
Io
500mA/div
Io
500mA/div
Vo
2V/div
10usec/div
10usec/div
2V/div
技术说明
图1瞬态响应
(0→1A)
Co=1μF
图2瞬态响应
(1→0A)
Co=1μF
图3输入序列1
Co=1μF
200usec/div
EN
2V/div
EN
2V/div
VCC
5V/div
EN
2V/div
VCC
5V/div
VCC
5V/div
Vo
5V/div
40msec/div
Vo
5V/div
200usec/div
Vo
5V/div
40msec/div
图4 OFF序列1
Co=1μF
5.2
图5 Inpurt序列2
Co=1μF
800
1.0
图6 OFF序列2
Co=1μF
5.1
700
0.8
VOUT [V]的
ICC [ μA ]
0.6
5.0
600
ICC [UA ]
0.4
4.9
500
0.2
4.8
-25
0
25
TA [ ℃ ]
50
75
85
400
-25
0
25
TA [
℃
]
50
75
85
0.0
-25
0
25
TA [
℃
]
50
75
85
图7的Ta - VO(木卫一= 0毫安)
10.0
图8的Ta -ICC
5.2
图9钽Isd的
(V
EN
=0V)
1.0
8.0
5.1
0.8
IEN [ μA ]
6.0
VO [ V]
5.0
4.0
ISTB [ μA ]
0
0.2
0.4
IO [ A]
0.6
0.8
1
0.6
0.4
2.0
4.9
0.2
4.8
0.0
-10
10
30
TA [
℃
]
50
70
85
0.0
0
IIN
2
4
VCC [V]的
6
8
10
图10大安IEN
www.rohm.com
2010 ROHM有限公司保留所有权利。
图11 IO-武
图12 VCC- Isd的
(V
EN
=0V)
3/11
2010.04 - Rev.A的