BC846-BC850
典型特征
静态特性
100
集电极电流，I
C
（MA ）
直流电流增益，H
FE
NPN硅晶体管
直流电流增益
10000
80
60
40
20
0
0
4
I
B
=400A
I
B
=350A
I
B
=300A
I
B
=250A
I
B
=200A
I
B
=150A
I
B
=100A
I
B
=50A
12 16
20
1000
V
CE
=5V
100
8
10
1
10
100
1000
集电极 - 发射极电压，V
CE
(V)
集电极电流，I
C
（MA ）
饱和电压V
BE （ SAT ）
, V
CE （ SAT ）
(V)
1000
V
BE （ SAT ）
收集当前，我
C
（MA ）
基射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
10000
I
C
=10I
B
基射极电压上
100
V
CE
=2V
10
100
V
CE （ SAT ）
1
10
1
10
100
1000
0.1
0.1 0.2 0.4
0.6
0.8 1.0
1.2
集电极电流I
C
（MA ）
,
基射极电压，V
BE
(V)
集电极输出电容
100
电流增益带宽积
1000
电容C
ob
（PF ）
f=1MHz
10
电流增益带宽
产品中，f
T
（兆赫）
V∞=5V
100
1
10
0.1
1
10
100
1000
1
0.1
1
10
100
集电极 - 基极电压，V
CB （
V)
集电极电流，I
C
（MA ）
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3 4
QW-R206-027,C
