恩智浦半导体
BC637 ; BCP55 ; BCX55
60 V ，1 A NPN型中功率晶体管
300
h
FE
(1)
006aaa080
1.6
I
B
（毫安）= 50
I
C
(A)
1.2
45
40
35
30
006aaa084
200
25
20
15
(2)
0.8
10
5
100
(3)
0.4
0
10
1
0
1
10
10
2
10
3
10
4
I
C
（MA ）
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
V
CE
(V)
V
CE
= 2 V
(1) T
AMB
= 150
°C
(2) T
AMB
= 25
°C
(3) T
AMB
=
55 °C
T
AMB
= 25
°C
图10.直流电流增益集电器的功能
电流;典型值
1.2
V
BE
(V)
0.8
(1)
图11集电极电流的一个函数
集电极 - 发射极电压;典型值
1
006aaa082
006aaa081
V
CESAT
(V)
(2)
10
1
0.4
(3)
(1)
(2)
(3)
0
10
1
1
10
10
2
10
3
10
4
10
2
10
1
1
10
10
2
I
C
（MA ）
10
3
10
4
I
C
（MA ）
V
CE
= 2 V
(1) T
AMB
=
55 °C
(2) T
AMB
= 25
°C
(3) T
AMB
= 150
°C
I
C
/I
B
= 10
(1) T
AMB
= 150
°C
(2) T
AMB
= 25
°C
(3) T
AMB
=
55 °C
图12中相应发射极电压作为集电体的功能
电流;典型值
图13.集电极 - 发射极饱和电压为
集电极电流的函数;典型值
BC637_BCP55_BCX55_7
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
产品数据表
牧师07 - 2007年6月25日
10 15
