半导体
技术参数
超高速开关应用。
特点
小型封装
低正向电压
快速反向恢复时间
小总电容
BAV70T
硅外延平面二极管
： ESM 。
: V
F
= 0.9V （典型值） 。
: t
rr
=1.6ns(Typ.).
A
G
H
2
1
E
B
D
3
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
J
: C
T
= 0.9pF （典型值） 。
MILLIMETERS
_
1.60 + 0.10
_
0.85 + 0.10
_
0.70 + 0.10
0.27+0.10/-0.05
_
1.60 + 0.10
_
1.00 + 0.10
0.50
_
0.13 + 0.05
特征
最大（峰值）反向电压
反向电压
连续正向电流
浪涌电流（ 10毫秒）
功耗
结温
存储温度范围
符号
V
RM
V
R
I
F
I
FSM
P
D
T
j
T
英镑
等级
85
80
150
2
200 *
150
-55½150
单位
V
1.阳极1
3
V
mA
A
mW
℃
℃
C
最大额定值（ TA = 25 ℃ ）
J
2.阳极2
3.阴极
2
1
ESM
注：*包安装在FR- 5委员会（ 25.4 × 19.05 × 1.57毫米）
记号
H2
电气特性（Ta = 25℃）
特征
符号
V
F(1)
正向电压
V
F(2)
V
F(3)
反向电流
总电容
反向恢复时间
I
R
C
T
t
rr
测试条件
I
F
=1mA
I
F
=10mA
I
F
=150mA
V
R
=80V
V
R
= 0中，f = 1MHz的
I
F
=10mA
分钟。
-
-
-
-
-
-
典型值。
0.60
0.72
-
-
-
-
马克斯。
-
-
1.25
0.5
3.0
4.0
μ
A
pF
nS
V
单位
2009. 1. 23
版本号： 1
1/2
