NTE5587 ， NTE5589 ， NTE5593
可控硅整流器
相对于控制应用
产品特点：
D
低通态电压
D
高di / dt
D
高dv / dt
D
卓越的浪涌和我
2
吨评级
应用范围：
D
电源
D
电池充电器
D
电机控制
绝对最大Ratingsand电气特性：
重复峰值电压，V
DRM
＆放大器; V
RRM
NTE5587 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 600V
NTE5589 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1200V
NTE5593 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1600V
RMS通态电流，I
T（ RMS ）
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 550A
通态平均电流，I
T（ AV ）
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 350
峰值单周期，不重复通态电流浪涌，我
TSM
50赫兹。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9100A
60赫兹。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10,000A
爆击率-的高层通态电流， di / dt的的
重复的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150A / μs的
不重复。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 800A / μs的
I
2
吨FO定影（ 8.2ms ） ，我
2
吨。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 416,000A
2
美国证券交易委员会
栅极峰值功耗，P
GM
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16W
平均门功耗，P
G（ AV ）
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3W
峰值通态电压（I
TM
= 625A ，T
J
= + 25 ° C） ，V
TM
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.4V
峰值正向漏电流（在V
DRM
, T
J
= + 125°C ） ，我
DRM
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安
峰值反向漏电流（在V
RRM
, T
J
= + 125°C ） ，我
RRM
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安
栅极电流触发（V
D
= 12V ，T
J
= + 25 ° C） ，我
GT
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150毫安
栅极电压触发（V
D
= 12V ，T
J
= + 25 ° C） ，V
GT
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3V
非触发栅极电压（ V
DRM
, T
J
= + 125°C ） ，V
GDM
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.15V
