ATtiny13
5.记忆
本节介绍了ATtiny13的不同回忆。 AVR架构有两个
主要的存储器空间，数据存储器和程序存储器空间。此外，该
ATtiny13还有EEPROM存储器以保存数据。这三个存储器空间都为线性
并定期。
5.1
在系统内可编程闪存程序存储器
ATtiny13具有1K字节的片上系统内可编程闪存用于程序
存储。因为所有的AVR指令为16位或32位，故而Flash组织成512 ×16 。
Flash存储器至少10,000写/擦除周期的耐力。 ATtiny13的亲
克计数器（PC ）为9位，因此可以寻址512的程序存储器空间。
102页的“存储器编程”
包含Flash的串行向下的详细说明
装用SPI接口。
常数可以保存于整个程序存储器地址空间中进行分配（见
LPM - 加载程序存储器指令的说明） 。
时序图的取指令和执行中都
“指令执行时序
第12页上的荷兰国际集团“ 。
图5-1 。
程序存储器映射
程序存储器
0x0000
0x01FF
5.2
SRAM数据存储器
图5-2第16页
显示了ATtiny13的SRAM空间的组织结构。
前160个数据存储器包括了寄存器文件， I / O存储器和
内部数据SRAM 。第32个地址为寄存器文件，然后是64个单元的
标准I / O存储器，最后一个64字节的内部数据SRAM 。
对于数据存储器的五个不同的寻址方式：直接寻址，带偏移
包换，间接寻址，带预减量和间接后增量。登记册
文件中的寄存器R26到R31为间接寻址的指针寄存器。
直接寻址范围可达整个数据空间。
间接与位移模式，达到从给定的基址63个地址
由Y轴或Z寄存器。
当使用带预减和后加的间接寻址模式
精神疾病，该地址寄存器X，Y和Z的增加或减少。
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2535I–AVR–05/08
