ATmega329/3290/649/6490
所选地址;若EEMWE为零，设置EEWE将没有任何效果。当EEMWE有
被写入到一个由软件，硬件清零位后4个时钟周期。见
EEWE位的EEPROM写过程的描述。
位1 - EEWE ： EEPROM写使能
EEPROM的写使能信号EEWE是写选通到EEPROM中。当地址
和数据的设置是否正确，对EEWE位必须写入到一个写值到
EEPROM 。该EEMWE位必须写入到一个逻辑1写入EEWE ， oth-前
erwise没有EEPROM写操作为止。下面的步骤应该写时必须遵守
EEPROM中（步骤3和4中的顺序不是必需的） ：
1.等待EEWE变为零。
2.等待SPMCSR寄存器的SPMEN为零。
3.将新的EEPROM地址写入EEAR （可选）。
4.将新的EEPROM数据写入EEDR （可选）。
5.写，而写一个零EECR到EEWE逻辑一到EEMWE位。
6.在四个时钟周期内设置EEMWE后，写了一个合乎逻辑的一个EEWE 。
该EEPROM不能在CPU写Flash存储器的过程中进行编程。软件
必须检查Flash编程启动一个新的EEPROM进行写操作之前完成。
如果该软件包含引导程序，允许CPU编程步骤2只相关
闪光灯。如果Flash从不正由CPU更新，步骤2可以省略。看
“引导加载程序
支持 - 同时读 - 写自编程278页上的“
有关详细信息，引导
编程。
注意事项：
步骤5和6之间的中断将导致写操作失败，因为
EEPROM写使能操作将超时。如果中断服务程序访问的EEPROM是
打断了另一个EEPROM操作， EEAR或EEDR寄存器可能被修改，引起
EEPROM操作失败。建议具有全局中断标志位清零
在所有的步骤，以避免这些问题。
当写访问时间之后， EEWE位由硬件清零。用户软
洁具可以查询该位，并等待一个零写入下一个字节之前。当EEWE置位后，
CPU会停止两个时钟周期的下一条指令执行之前。
位0 - EERE ：EEPROM读使能
EEPROM的读使能信号EERE是读选通到EEPROM中。当正确的
地址被设置在寄存器EEAR ，所述EERE位必须设定为逻辑1来触发
EEPROM中读取。 EEPROM读取只需要一条指令，且请求的数据
立即可用。当EEPROM被读取后， CPU停止了前四个周期
执行下一条指令。
用户在读取操作之前，应该检测EEWE 。如果一个写操作时
进步，这是无法读取的EEPROM，也无法改变寄存器EEAR 。
标定的振荡器用于EEPROM定时。
表8-1
列出了典型的亲
编程时间从CPU访问EEPROM 。
表8-1 。
符号
EEPROM写操作（CPU ）
EEPROM编程时间
校准数
RC振荡器周期
27,072
典型的编程时间
3.4毫秒
23
2552J–AVR–08/07
