SRAM数据存储器
图10显示了ATmega329 / 3290 /六千四百九十分之六百四十九SRAM空间的组织结构。
在ATmega329 / 3290 /六千四百九十分之六百四十九是一个复杂的微控制器，更多的外围设备
比可以在操作码预留IN的64个单元内的支持和
OUT指令。对于扩展的I / O空间0x60 - 0xFF的SRAM中，只有
ST / STS / STD和LD / LDS / LDD指令都可以使用。
下4352分之2304数据存储器包括了寄存器文件， I / O
内存，扩展的I / O存储器及内部数据SRAM 。第32位置
地址为寄存器文件，然后是64个标准I / O存储器，那么160个
扩展I / O存储器，并在未来四千零九十六分之二千零四十八位置系统蒸发散字节的内部
数据SRAM 。
对于数据存储器的五个不同的寻址方式：直接寻址，带偏移
安置，间接寻址，带预减量和间接后增量。在
寄存器文件中的寄存器R26到R31为间接寻址的指针寄存器。
直接寻址范围可达整个数据空间。
间接与位移模式，达到从基地63个地址
由Y轴或Z寄存器指定的地址。
当使用带预减和后间接寻址模式
增量，地址寄存器X，Y和Z的增加或减少。
在32个通用工作寄存器， 64个I / O寄存器， 160个扩展I / O雷吉斯
TER值，并在ATmega329 / 3290 /六千四百九十分之六百四十九的2048个字节的内部数据SRAM可以
通过所有上述的寻址模式进入。寄存器文件中描述
第12页的“通用寄存器文件” 。
网络连接gure 10 。
数据存储器映射
数据存储器
32个寄存器
64个I / O寄存器
160外部I / O寄存器。
内部SRAM
(2048 x 8)/
(4096 x 8)
为0x0000 - 0x001F
0×0020 - 0x005F
0x0060 - 0x00FF
0x0100
0x08FF/0x10FF
数据存储器访问时间
本节介绍的访问时序内部存储器的访问。
内部数据SRAM访问时间为两个CLK进行
中央处理器
次如Figure
11.
18
ATmega329/3290/649/6490
2552H–AVR–11/06
