SRAM数据
内存
图9
显示了ATmega162的SRAM空间的组织结构。内存配置B
指ATmega161的兼容模式，配置A至非兼容模式。
该ATmega162的是一个复杂的微处理器，更外围设备相比，可以支持
内的64的位置，在操作码的IN和OUT指令保留。对于扩展
I / O空间0x60 - 0xFF的SRAM中，只能使用ST / STS / STD和LD / LDS / LDD指令
被使用。扩展I / O空间不存在时， ATmega162的是在ATmega161的
兼容模式。
在正常模式下，第一个1280个数据存储器包括了寄存器文件，I / O
内存，扩展的I / O存储器及内部数据SRAM 。第32个地址为
寄存器文件，然后是64个标准I / O存储器的160个扩展I / O
内存和接下来的1024字节的内部数据SRAM 。
与ATmega161兼容模式下，较低的1120个数据存储器包括了寄存器
文件，I / O存储器及内部数据SRAM 。第96个地址为寄存器
文件和I / O存储器，接着是1024字节的内部数据SRAM 。
可选的外部数据SRAM可以使用与ATmega162的。该SRAM将占据
区域中，在64K地址空间上的剩余地址单元中。这个区域开始于
处理后的内部SRAM 。寄存器文件， I / O ，扩展的I / O和内部SRAM
采用占据了在正常模式下的最低1280字节，并且最低的1120个字节
ATmega161的兼容模式（扩展I / O不存在） ，因此在使用的时候64KB （ 65,536字节）
外部存储器中，有64256字节的外部存储器在正常模式下可用，
64416字节与ATmega161兼容模式。看
第26页上的“外部存储器接口”
就如何采取外部存储器映射的优势的详细信息。
当访问SRAM存储器空间中的地址超过内部数据存储器
位置时，外部数据SRAM使用相同的指令作为内部访问
数据存储器的访问。当内部数据存储器进行存取，读写选通
销（ PD7和PD6 ）是整个访问周期时无效。外部SRAM
通过设置寄存器MCUCR的SRE位使能。
访问外部SRAM要多一个额外的时钟周期比的访问
内部SRAM 。这意味着，命令LD ， ST ， LDS ， STS ， LDD ， STD ， PUSH和POP
需要一个额外的时钟周期。如果堆栈放置在外部SRAM ，中断子程序
调用和返回需要三个时钟周期，因为有2个字节的程序计数器被压
并弹出，外部存储器访问不走管道内部的优势
存储器存取。当外部SRAM接口使用的等待状态，一个字节的外部
访问带有两个，三个或四个附加的时钟周期为一个，两个，和三个等待状态
分别。中断，子程序调用和返回都需要五，七，或9个时钟周期
比指令集手册一，二，三等待状态指定了。
对于数据存储器的五个不同的寻址方式：直接寻址，带偏移
包换，间接寻址，带预减量和间接后增量。登记册
文件中的寄存器R26到R31为间接寻址的指针寄存器。
直接寻址范围可达整个数据空间。
间接与位移模式，达到从给定的基址63个地址
由Y轴或Z寄存器。
当使用带预减和后加的间接寻址模式
精神疾病，该地址寄存器X，Y和Z的增加或减少。
在32个通用工作寄存器， 64 （ 160 ） I / O寄存器及1024个字节的接口
在ATmega162的内部数据SRAM是通过所有上述的寻址模式进入。该
寄存器文件的描述
第12页的“通用寄存器文件” 。
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ATmega162/V
2513K–AVR–07/09
