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8.记忆
8.1
AT91SAM7XC512
512 KB的双平面闪存的
- 2个连续的1024页，每页256字节银行
- 快速访问时间， 30兆赫在最坏的情况下单周期访问
- 页编程时间： 6毫秒，包括页面自动擦除
- 没有自动擦除页编程： 3毫秒
- 全片擦除时间： 15毫秒
- 10,000写周期， 10年数据保持能力
- 32位锁定，保护32个扇区的64页
- 保护模式，以确保对Flash内容
128字节的快速SRAM
- 全速单周期访问
8.2
AT91SAM7XC256
256 KB闪存
- 1024页的256个字节
- 快速访问时间， 30兆赫在最坏的情况下单周期访问
- 页编程时间： 6毫秒，包括页面自动擦除
- 没有自动擦除页编程： 3毫秒
- 全片擦除时间： 15毫秒
- 10,000写周期， 10年数据保持能力
- 16锁定位，第64页各保护16个扇区
- 保护模式，以确保对Flash内容
64 KB的快速SRAM
- 全速单周期访问
8.3
AT91SAM7XC128
128 KB闪存
- 512页，每页256字节
- 快速访问时间， 30兆赫在最坏的情况下单周期访问
- 页编程时间： 6毫秒，包括页面自动擦除
- 没有自动擦除页编程： 3毫秒
- 全片擦除时间： 15毫秒
- 10,000写周期， 10年数据保持能力
- 8锁定位，每个保护8部门64页
- 保护模式，以确保对Flash内容
32 KB的快速SRAM
- 全速单周期访问
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AT91SAM7XC512 /一百二十八分之二百五十六初步
6209F–ATARM–17-Feb-09
