位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第1734页 > AT91SAM7XC128-AU > AT91SAM7XC128-AU PDF资料 > AT91SAM7XC128-AU PDF资料6第21页
AT91SAM7XC512 /一百二十八分之二百五十六初步
图8-3 。
内部存储器映射与GPNVM位2 = 1
0x0000 0000
0x000F FFFF
闪重映射前
SRAM重映射后
内置闪存
1兆字节
0x0010 0000
1兆字节
0x001F FFFF
0x0020 0000
256M字节
0x002F FFFF
0x0030 0000
内部SRAM
1兆字节
1兆字节
252兆字节
内部ROM
0x003F FFFF
0x0040 0000
未定义区域
（中止）
0x0FFF FFFF
8.5
8.5.1
嵌入式闪存
闪存总览
在AT91SAM7XC512的Flash组织在两家银行（双平面） 0F 1254页
256个字节。在524中， 288字节被组织在32位字。
在AT91SAM7XC256的Flash组织在1024页，每页256字节（单机） 。它
读为65,536个32位字。
在AT91SAM7XC128的Flash组织的512页，每页256字节（单机） 。它
读为32,768个32位字。
闪存包含一个256字节的写缓冲区，通过一个32位的接口访问。
闪存受益于复位单元的整合，并从掉电检测。
这可以防止腐败的代码在电源的变化，即使在最恶劣的条件。
当不使用闪光灯（读或写访问） ，它会自动置于待机模式。
8.5.2
嵌入式Flash控制器
内置Flash控制器（ EFC ）管理由系统的主人进行访问
统。这使得能够读取闪存和写入的写入缓冲器。它还包含了一个用户界面，
在建业的内存控制器中映射。用户界面允许：
的闪存（等待状态，计时，数量等）的接入参数进行编程
启动诸如全片擦除，页擦除，页编程命令， NVM位设置， NVM位
明确等。
获得的最后一个命令的结束状态
获取错误状态
在最后的命令或错误结束编程中断
内置Flash控制器还提供了双32位预取缓冲，优化16位
访问闪存。这是特别有效的，当所述处理器在Thumb模式下运行。
两个EFCS嵌入在AT91SAM7XC512控制256千字节的每个记忆库。双
平面组织可并发读取和编程功能。从一个存储器读
21
6209CS–ATARM–08-Dec-08
