MIL-PRF-19500/545D
在T 1.4主要电气特性
C
= +25°C.
范围
h
FE2
(1)
V
CE
= 5 V
I
C
= 2.5 A DC
|h
fe
|
V
CE
= 5 V
I
C
= 500毫安DC
F = 10MHz的
2N5151
(2)
2N5153
(2)
V
CE(sat)2
(1)
I
C
= 5 A DC
I
B
= 500毫安DC
V
CE(sat)2
(1)
I
C
= 5 A DC
I
B
= 500毫安DC
C
敖包
V
CB
= 10 V DC
I
E
= 0
F = 1 MHz的
R
θJA
R
θJC
2N5151
(2)
2N5153
(2)
V DC
民
最大值（TO- 205）
马克斯（ U3 ）
30
90
90
70
200
200
6
7
2.2
2.2
V DC
1.5
1.5
pF
250
250
° C / W
175
150
° C / W
15
1.75
（1 ）脉冲（见4.5.1 ）
（ 2 ）中规定的限值适用于所有包装说明，除非另有说明。
2.适用文件
2.1一般。在本节中列出的文档都将在第3和第4本规范的规定。这
部不包括引用文件在本说明书中的其它部分的或推荐的附加
信息或作为例子。虽然已尽力确保本清单的完整性，文档
用户应注意，它们必须满足引用这个第3和第4的所有规定要求的文件
说明书中，无论它们是否被列出。
2.2政府文件。
2.2.1规格，标准和手册。以下规范，标准，和手册形成
此文件在本文中所指定的范围的一部分。除非另有说明，这些文件的问题是
那些规范和标准（ DoDISS ）防御指数部的发行上市和
补充于此，举在招标（见6.2） 。
规范
国防部
MIL-PRF-19500
标准
国防部
MIL-STD-750
- 试验方法半导体器件。
- 半导体器件，一般规格。
（除非另有说明，都可以从上述规范，标准，和手册的副本
文档自动化和生产服务（ DAPS ） ，大厦4D （ DPM - DODSSP ） ， 700罗宾斯大道，
费城，宾夕法尼亚州19111-5094 ）。
2.3优先顺序。在本说明书的文本和参考文献之间有冲突的引用的事件
在此，本规范的文本为准。本文件的内容，但是，取代适用
法律，法规，除非特别豁免已获得。
2
